[實(shí)用新型]一種緊湊型高速光電二極管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821605425.5
• 申請日: 2018-09-29
• 公開（公告）號: CN208873728U
• 公開（公告）日: 2019-05-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉宏亮;楊彥偉;劉格;陸一鋒
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市芯思杰智慧傳感技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/109
• 代理公司: 深圳智匯遠(yuǎn)見知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44481
• 代理人: 田俊峰

本實(shí)用新型涉及一種緊湊型高速光電二極管，包括襯底，以及形成于所述襯底上的正電極環(huán)、負(fù)電極環(huán)、正電極和負(fù)電極，所述負(fù)電極環(huán)上設(shè)置有開口，所述負(fù)電極與所述負(fù)電極環(huán)的一端連接；所述正電極環(huán)設(shè)于負(fù)電極環(huán)內(nèi)；所述正電極通過所述開口與所述正電極環(huán)連接；所述正電極和負(fù)電極位于所述負(fù)電極環(huán)的同一側(cè)。本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案通過將緊湊型高速光電二極管的正電極與負(fù)電極設(shè)置在電極環(huán)的同一側(cè)，使得二極管的尺寸減小,從而減小占用封裝的空間尺寸，使得封裝更加小型化、集成化。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種二極管，尤其涉及一種緊湊型高速光電二極管。

背景技術(shù)

隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，在信號傳輸和存儲等環(huán)節(jié)中，越來越多地應(yīng)用光信號。光電子系統(tǒng)具有抗干擾能力較強(qiáng)、傳送信息量大、傳輸損耗小等突出優(yōu)點(diǎn)，光電二極管是光電子系統(tǒng)的電子器件。光電二極管是一種能夠?qū)⒐飧鶕?jù)使用方式轉(zhuǎn)換成電流或者電壓信號的光探測器。現(xiàn)有的光電二極管芯片的電極采用左右結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，左側(cè)為芯片正電極，右側(cè)為芯片負(fù)電極，這樣導(dǎo)致芯片長度較長。正電極焊盤和負(fù)電極焊盤位于芯片的相對兩側(cè)，不利于后續(xù)焊線工藝，又增加了金線長度，也不利于現(xiàn)有小型化、集成化封裝的應(yīng)用。

因此，需要提供一種緊湊型高速光電二極管來解決現(xiàn)有技術(shù)的不足。

實(shí)用新型內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本實(shí)用新型提供了一種緊湊型高速光電二極管，將二極管的尺寸縮小1/3,從而減小占用封裝的空間尺寸，使得封裝更加小型化、集成化。

一種緊湊型高速光電二極管，包括襯底，以及形成于所述襯底上的正電極環(huán)、負(fù)電極環(huán)、正電極和負(fù)電極，所述負(fù)電極環(huán)上設(shè)置有開口，所述負(fù)電極與所述負(fù)電極環(huán)的一端連接；所述正電極環(huán)設(shè)于負(fù)電極環(huán)內(nèi)；所述正電極通過所述開口與所述正電極環(huán)連接；所述正電極和負(fù)電極位于所述負(fù)電極環(huán)的同一側(cè)。

進(jìn)一步的，所述正電極和負(fù)電極均為圓形，所述正電極和負(fù)電極的圓心距離小于所述負(fù)電極環(huán)的直徑。

進(jìn)一步的，所述正電極和負(fù)電極的直徑均大于50um且小于80um。

進(jìn)一步的，所述正電極環(huán)與負(fù)電極環(huán)同心設(shè)置，所述正電極環(huán)的環(huán)寬度小于等于10um，外徑小于70um；所述負(fù)電極環(huán)的環(huán)寬度小于等于10um；所述正電極環(huán)的外徑與負(fù)電極環(huán)的內(nèi)徑的距離大于5um且小于20um。

進(jìn)一步的，還包括：形成于所述襯底上的緩沖層，形成于所述緩沖層上的吸收層，形成于所述吸收層上的頂層，形成于所述頂層上的接觸層，形成于所述頂層上的有源區(qū)，形成于所述頂層上的第一復(fù)合鈍化膜，以及形成于所述襯底、緩沖層、吸收層、頂層、第一復(fù)合鈍化膜和有源區(qū)上的增透膜。

進(jìn)一步的，所述負(fù)電極環(huán)形成于所述緩沖層上，所述負(fù)電極形成于所述增透膜和負(fù)電極環(huán)上，所述正電極環(huán)形成于所述接觸層上，所述正電極形成于所述增透膜和正電極環(huán)上。

進(jìn)一步的，所述襯底的厚度大于2um，所述緩沖層的厚度大于2um且小于5um，所述吸收層的厚度大于0.5um且小于3um，所述頂層的厚度大于0.5um且小于2um，所述接觸層的厚度大于0.1um且小于0.5um。

進(jìn)一步的，所述第一復(fù)合鈍化膜的厚度大于0.1um且小于1um。

進(jìn)一步的，所述增透膜的厚度大于0.1um且小于0.5um。

進(jìn)一步的，所述有源區(qū)的形狀為圓形，其直徑大于20um且小于40um，所述有源區(qū)的厚度大于1um且小于1.5um。

進(jìn)一步的，還包括：形成于所述襯底底部的焊接層。

進(jìn)一步的，所述吸收層、頂層和接觸層形成正電極圓柱形臺面結(jié)構(gòu)，所述緩沖層形成負(fù)電極圓柱形臺面結(jié)構(gòu)；

所述正電極圓柱形臺面、負(fù)電極圓柱形臺面和有源區(qū)同心設(shè)置。