[實(shí)用新型]生長在Ti襯底上的InGaN納米柱有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821604602.8 | 申請日： | 2018-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN209507579U | 公開（公告）日： | 2019-10-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李國強(qiáng);徐珍珠;張曙光;高芳亮;溫雷;余粵鋒 | 申請（專利權(quán)）人： | 華南理工大學(xué) |
| 主分類號： | B82B1/00 | 分類號： | B82B1/00;B82B3/00;B82Y10/00;B82Y30/00;B82Y40/00;C01B3/04 |
| 代理公司： | 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;馮振寧 |
| 地址： | 510640 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 襯底 本實(shí)用新型 納米柱 生長 歐姆接觸電極 可見光光譜 導(dǎo)電性能 降低器件 寬度可調(diào) 器件工藝 光電解 電極 禁帶 制備 水產(chǎn) 響應(yīng) | ||
【權(quán)利要求書】：
1.生長在Ti襯底上的InGaN納米柱，其特征在于，包括Ti襯底（1），生長在Ti襯底（1）上的AlN緩沖層（2），生長在AlN緩沖層（2）上的InGaN納米柱（3）。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長在Ti襯底上的InGaN納米柱，其特征在于，所述Ti襯底為普通Ti金屬。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長在Ti襯底上的InGaN納米柱，其特征在于，所述AlN緩沖層的厚度為5~50 nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長在Ti襯底上的InGaN納米柱，其特征在于，所述InGaN納米柱的高度為60~2000 nm, 直徑為15~500 nm。
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