[實用新型]一種多量子阱結構及其發光二極管有效
| 申請號： | 201821603752.7 | 申請日： | 2018-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN208862012U | 公開（公告）日： | 2019-05-14 |
| 發明（設計）人： | 藍永凌;林兓兓;蔡吉明 | 申請（專利權）人： | 安徽三安光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06 |
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| 地址： | 241000 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 多量子阱結構 發光二極管 勢阱層 本實用新型 調節層 勢壘層 溢流 光電技術領域 多量子阱層 內量子效率 出光效率 晶格失配 再利用 晶格 能障 半導體 | ||
1.一種多量子阱結構，其由復數個發光基本單元交替層疊而成，每一基本發光單元均包含勢壘層和勢阱層，所述勢壘層為含鋁氮化物的多層結構，其特征在于：所述勢壘層的能級呈低高低分布，所述勢壘層與所述勢阱層之間還設置有一InAlGaN調節層。
2.根據權利要求1所述的一種多量子阱結構，其特征在于：所述勢壘層至少包含三層含鋁氮化物子層，其中，第一子層為AlGaN層，第二子層為AlN層，第三子層為AlGaN層。
3.根據權利要求2所述的一種多量子阱結構，其特征在于：所述勢壘層由AlGaN層，位于AlGaN層上的AlN層，位于AlN層上的AlGaN層組成。
4.根據權利要求2所述的一種多量子阱結構，其特征在于：所述勢壘層為AlGaN層、AlN層和AlGaN層依次層疊的周期性結構。
5.根據權利要求2所述的一種多量子阱結構，其特征在于：所述第一子層與所述第三子層的能級相同或者不同。
6.根據權利要求5所述的一種多量子阱結構，其特征在于：所述勢壘層的周期數為≥5。
7.根據權利要求1所述的一種多量子阱結構，其特征在于：所述勢阱層為InGaN結構層。
8.一種發光二極管，包括襯底、形成于襯底上的第一半導體層和第二半導體層、以及設置于所述第一半導體層與所述第二半導體層之間的至少一個如權利要求1~7任意一項所述的多量子阱結構。
9.根據權利要求8所述的一種發光二極管，其特征在于：所述襯底與所述第一半導體層之間還設置有一緩沖層。
10.根據權利要求8所述的一種發光二極管，其特征在于：該發光二極管還包括設置于第一半導體層上的第一電極和設置于第二半導體層上的第二電極。
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