[實(shí)用新型]一種區(qū)熔單晶硅棒的電阻率測試臺(tái)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821603731.5
• 申請(qǐng)日: 2018-09-29
• 公開（公告）號(hào): CN209182398U
• 公開（公告）日: 2019-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉凱;郝大維;張志富;王克旭;吳磊;王彥君;孫晨光;孫健
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 天津中環(huán)領(lǐng)先材料技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G01R27/02
• 分類號(hào): G01R27/02
• 代理公司: 天津?yàn)I海科緯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 12211
• 代理人: 楊慧玲

1.一種區(qū)熔單晶硅棒的電阻率測試臺(tái)，包括支撐底座(1)，其特征在于：所述支撐底座(1)的上端面設(shè)有硅棒承接座(2)，所述硅棒承接座(2)的上端面設(shè)有沿橫向設(shè)置的V型通槽(3)，所述V型通槽(3)的表面安裝有多個(gè)萬向滾珠(4)，所述萬向滾珠(4)的滾珠頂點(diǎn)突出于所述V型通槽(3)的表面；所述支撐底座(1)上安裝有可在橫向上及豎直方向上移動(dòng)的四探針探頭(5)，所述四探針探頭(5)與四探針測試儀本體電連接，所述四探針探頭(5)位于所述V型通槽(3)的上方。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種區(qū)熔單晶硅棒的電阻率測試臺(tái)，其特征在于：所述萬向滾珠(4)沿橫向設(shè)有兩排，兩排萬向滾珠(4)分別對(duì)稱的安裝于所述V型通槽(3)的兩個(gè)內(nèi)表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種區(qū)熔單晶硅棒的電阻率測試臺(tái)，其特征在于：所述支撐底座(1)上安裝有沿橫向設(shè)置的滑動(dòng)軌道(6)，所述滑動(dòng)軌道(6)上安裝有可在所述滑動(dòng)軌道(6)上滑動(dòng)的探頭支撐架(7)，所述四探針探頭(5)安裝于所述探頭支撐架(7)上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種區(qū)熔單晶硅棒的電阻率測試臺(tái)，其特征在于：所述支撐底座(1)上安裝有沿橫向設(shè)置的齒條，所述探頭支撐架(7)上安裝有橫向驅(qū)動(dòng)電機(jī)，所述橫向驅(qū)動(dòng)電機(jī)的輸出軸上安裝有與所述齒條相咬合的齒輪。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種區(qū)熔單晶硅棒的電阻率測試臺(tái)，其特征在于：所述探頭支撐架(7)為伸縮桿結(jié)構(gòu)，所述四探針探頭(5)可隨所述探頭支撐架(7)的伸縮在豎直方向上移動(dòng)。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種區(qū)熔單晶硅棒的電阻率測試臺(tái)，其特征在于：所述探頭支撐架(7)上安裝有驅(qū)動(dòng)所述四探針探頭豎直方向上移動(dòng)的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，所述四探針探頭(5)上安裝有紅外測距裝置。