[實用新型]一種高功率射頻傳輸線用陶瓷支撐盤

有效

• 申請號: 201821598850.6
• 申請日: 2018-09-28
• 公開（公告）號: CN208753067U
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發明（設計）人: 馬國翔;馬淼;袁帥;田浠煜
• 申請（專利權）人: 江陰立馬機械科技有限公司
• 主分類號: H01B17/60
• 分類號: H01B17/60
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬

本實用新型公開了一種高功率射頻傳輸線用陶瓷支撐盤，其包括中心陶瓷盤，中心陶瓷盤為環狀圓盤結構，其兩側盤面上對稱開設有環形凹槽，環形凹槽與中心陶瓷盤同心設置，中心陶瓷盤的外圓曲面上開設有若干安裝孔，若干個安裝孔呈圓周均布排列，每個安裝孔中設置有支撐柱，支撐柱與中心陶瓷盤燒結固定連接，每個支撐柱上設置有限位凹槽。上述陶瓷支撐盤采用中心陶瓷盤和支撐柱的組合結構，成型了一種耐燒陶瓷支撐絕緣體，解決了現有支撐盤打火易損且污染傳輸線的問題，即使陶瓷盤出現打火，也不會產生燒蝕灰塵，傳輸線清洗簡單，另外，中心陶瓷盤和支撐柱采用單獨件再組合的形式，更新維修更加方便，且具有良好的支撐絕緣性能，滿足了使用需要。

技術領域

本實用新型涉及離子回旋波加熱系統射頻功率傳輸技術領域，尤其涉及一種高功率射頻傳輸線用陶瓷支撐盤。

背景技術

在托克馬克熱核聚變裝置中，離子回旋波加熱系統主要用于提供高功率射頻波能量，并通過同軸傳輸線和阻抗匹配網絡，由射頻加熱天線將射頻功率傳輸給真空室中的等離子體，以達到加熱等離子體或驅動等離子體電流的目的，獲得高參數穩態等離子體，其總功率水平高達幾兆瓦至數十兆瓦，工作頻率一般為10～200MHz，根據不同系統的要求，一般采用幾路或十幾路50歐姆射頻同軸傳輸線，每路傳輸線需傳輸的射頻功率約為1.5兆瓦。

由于射頻加熱系統距離托克馬克裝置較遠，傳輸線長度通常需要幾十米甚至一百多米，在如此長的傳輸線上分布著若干個駐波電壓最大點，如果內外導體的支撐盤在最大電壓附近，有可能會造成絕緣損壞，出現支撐盤打火損壞的現象，從而使這條傳輸線失效。

傳統大功率射頻傳輸線一般采用聚四氟材料支撐內導體，一旦聚四氟支撐盤出現打火，會燒蝕聚四氟，產生大量的燒蝕灰塵，損壞聚四氟支撐盤，同時給傳輸線造成污染，清洗費時費力。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種高功率射頻傳輸線用陶瓷支撐盤，取代傳統的聚四氟支撐盤，解決線路打火維護困難的問題，且為傳輸線提供良好的支撐絕緣性能。

為達上述目的，本實用新型采用以下技術方案：

一種高功率射頻傳輸線用陶瓷支撐盤，其包括中心陶瓷盤，中心陶瓷盤為環狀圓盤結構，其兩側盤面上對稱開設有環形凹槽，環形凹槽與中心陶瓷盤同心設置，中心陶瓷盤的外圓曲面上開設有若干安裝孔，若干個安裝孔呈圓周均布排列，每個安裝孔中設置有支撐柱，支撐柱與中心陶瓷盤燒結固定連接，每個支撐柱上設置有限位凹槽。

特別地，安裝孔設置有三個，對應設置三個支撐柱。

特別地，支撐柱的內端為圓柱狀，內端與安裝孔配合安裝，支撐柱的外端為弧面。

特別地，環形凹槽、限位凹槽均為半圓形槽。

特別地，中心陶瓷盤和支撐柱的外表面設置有一體鍍釉層。

特別地，中心陶瓷盤和支撐柱均采用95瓷。

綜上，本實用新型的有益效果為，與現有技術相比，所述高功率射頻傳輸線用陶瓷支撐盤采用中心陶瓷盤和支撐柱的組合結構，成型了一種耐燒陶瓷支撐絕緣體，解決了現有支撐盤打火易損且污染傳輸線的問題，即使陶瓷盤出現打火，也不會產生燒蝕灰塵，傳輸線清洗簡單，另外，中心陶瓷盤和支撐柱采用單獨件再組合的形式，更新維修更加方便，且具有良好的支撐絕緣性能，滿足了使用需要。

附圖說明

圖1是本實用新型實施例提供的高功率射頻傳輸線用陶瓷支撐盤的結構示意圖；

圖2是本實用新型實施例提供的高功率射頻傳輸線用陶瓷支撐盤的全剖視圖。

具體實施方式

下面結合附圖并通過具體實施方式來進一步說明本實用新型的技術方案。