[實用新型]高散熱型太陽能光伏背板及其制作設備有效
| 申請號: | 201821595511.2 | 申請日: | 2018-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN208655667U | 公開(公告)日: | 2019-03-26 |
| 發明(設計)人: | 焦華;田蒼龍 | 申請(專利權)人: | 浙江中聚材料有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/049 | 分類號: | H01L31/049;H01L31/052;H01L31/054;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京中政聯科專利代理事務所(普通合伙) 11489 | 代理人: | 燕宏偉 |
| 地址: | 314031 浙江省嘉興市秀*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能光伏背板 高散熱型 背板 芯層 白色反射層 制作設備 散熱層 耐光老化性能 水汽阻隔性能 本實用新型 發電效率 散熱功能 制作工藝 耐水解 | ||
一種高散熱型太陽能光伏背板,包括背板芯層、位于背板芯層一側的內側白色反射層及位于背板芯層另一側的外側黑色散熱層,所述內側白色反射層的厚度為10?100微米,所述外側黑色散熱層的厚度為10?100微米。如此具有優異散熱功能、優異的耐水解、耐光老化性能、水汽阻隔性能,且制作工藝簡單、發電效率高。本實用新型還提供一種高散熱型太陽能光伏背板的制作設備。
技術領域
本實用新型涉及光伏技術領域,特別是一種高散熱型太陽能光伏背板及其制作設備。
背景技術
太陽能光伏組件的發電功率對溫度比較敏感,溫度每上升1攝氏度,其發電功率衰減0.4%,因此背板的散熱對光伏組件的性能有重要影響。
現有光伏組件的背板都是采用PVF(聚氟乙烯薄膜)-PET(聚脂薄膜)-PVF三層薄膜構成的背膜,簡稱TPT,其中外側(空氣側)保護層PVF具有良好的抗環境侵蝕能力,中間層PET具有良好的絕緣性能,內側PVF經表面處理和EVA具有良好的粘接性能。
但是這種采用TPT結構的太陽能背板,其PET材料不耐水解及不耐光老化,散熱性較差。背板內側的光反射率為75~80%,背板空氣側的散熱性能弱,背板導熱系數小于0.5W/m2C。
實用新型內容
有鑒于此,本實用新型提供了一種具有優異散熱功能、優異的耐水解、耐光老化性能、水汽阻隔性能,且制作工藝簡單、發電效率高的高散熱型太陽能光伏背板及背板芯層制作設備,以解決上述問題。
一種高散熱型太陽能光伏背板,包括背板芯層、位于背板芯層一側的內側白色反射層及位于背板芯層另一側的外側黑色散熱層,所述內側白色反射層的厚度為10-100微米,所述外側黑色散熱層的厚度為10-100微米。
一種高散熱型太陽能光伏背板的制作設備,包括擠出機、壓力輥、冷卻輥、若干傳動輥、收卷單元及成型料道,所述擠出機具有上部供料腔、位于上部供料腔下方的中部供料腔及位于中部供料腔下方的下部供料腔,以及設置于擠出機的一端且與上部供料腔、中部供料腔及下部供料腔均連通的成型模頭,所述成型料道水平設置于成型模頭的下方,所述壓力輥與冷卻輥相對設置,且壓力輥與冷卻輥之間具有間隙,若干傳動輥設置于冷卻輥與收卷單元之間,所述冷卻輥內部具有冷卻裝置。
與現有技術相比,本實用新型的高散熱型太陽能光伏背板包括背板芯層、位于背板芯層一側的內側白色反射層及位于背板芯層另一側的外側黑色散熱層,所述內側白色反射層的厚度為10-100微米,所述外側黑色散熱層的厚度為10-100微米。如此具有優異散熱功能、優異的耐水解、耐光老化性能、水汽阻隔性能,且制作工藝簡單、發電效率高。本實用新型還提供一種高散熱型太陽能光伏背板的制作設備。
附圖說明
以下結合附圖描述本實用新型的實施例,其中:
圖1為本實用新型提供的高散熱型太陽能光伏背板的側面剖視圖。
圖2為本實用新型提供的高散熱型太陽能光伏背板的制作設備的示意圖。
具體實施方式
以下基于附圖對本實用新型的具體實施例進行進一步詳細說明。應當理解的是,此處對本實用新型實施例的說明并不用于限定本實用新型的保護范圍。
請參考圖1,其為本實用新型提供的高散熱型太陽能光伏背板的示意圖,本實用新型提供的高散熱型太陽能光伏背板包括背板芯層110、內側白色反射層120及外側黑色散熱層130,內側白色反射層120采用白色高反射率改性材料,如高反射聚烯烴改性材料、高反射聚氟乙烯材料、高反射聚偏氟乙烯材料等;外側黑色散熱層130采用與內側白色反射層120具有很好的相容性、高散熱型的黑色納米填充改性材料,如黑色納米填充尼龍改性材料、黑色納米填充改性聚烯烴材料、黑色納米填充改性聚氟乙烯材料、黑色納米填充改性聚偏氟乙烯材料或其他黑色納米填充改性材料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





