[實(shí)用新型]基片處理裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821591124.1
• 申請日: 2018-09-28
• 公開（公告）號(hào): CN208970482U
• 公開（公告）日: 2019-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 稻富弘朗;中村徹;木本晃司;青山義尚
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67
• 代理公司: 北京尚誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種基片處理裝置，其特征在于，包括：

運(yùn)送區(qū)塊，其配置有用于運(yùn)送基片的運(yùn)送裝置；和

多個(gè)處理區(qū)塊，其與所述運(yùn)送區(qū)塊相鄰配置，處理由所述運(yùn)送裝置運(yùn)送的基片，

各處理區(qū)塊包含一個(gè)液處理組件和一個(gè)干燥組件，

所述液處理組件進(jìn)行在所述基片的上表面形成液膜的液膜形成處理，

所述干燥組件進(jìn)行超臨界干燥處理，所述超臨界干燥處理通過使所述液膜形成處理后的基片與超臨界狀態(tài)的處理流體接觸，使所述液膜形成處理后的基片干燥，

同一個(gè)所述處理區(qū)塊包含的所述液處理組件和所述干燥組件，相對于所述運(yùn)送區(qū)塊的所述運(yùn)送裝置的移動(dòng)方向配置在相同側(cè)。

2.如權(quán)利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述運(yùn)送裝置在同一個(gè)所述處理區(qū)塊包含的所述液處理組件與所述干燥組件之間，運(yùn)送所述液膜形成處理后的基片。

3.如權(quán)利要求1或者2所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述多個(gè)處理區(qū)塊多層配置。

4.如權(quán)利要求3所述的基片處理裝置，其特征在于：

還包括交接部，其與所述運(yùn)送區(qū)塊相鄰配置，用于載置所述基片，

所述運(yùn)送裝置在配置于各層的所述處理區(qū)塊與所述交接部之間，運(yùn)送所述基片。

5.如權(quán)利要求1、2、4中任一項(xiàng)所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述多個(gè)處理區(qū)塊配置在所述運(yùn)送區(qū)塊的所述移動(dòng)方向的兩側(cè)，

配置在所述運(yùn)送區(qū)塊的一側(cè)的所述處理區(qū)塊與配置在所述運(yùn)送區(qū)塊的另一側(cè)的所述處理區(qū)塊，在俯視時(shí)隔著所述運(yùn)送區(qū)塊對稱配置。

6.如權(quán)利要求1、2、4的任一項(xiàng)所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述干燥組件包括：

進(jìn)行所述超臨界干燥處理的處理區(qū)域；和

在所述運(yùn)送區(qū)塊與所述處理區(qū)域之間交接所述基片的交接區(qū)域，

所述處理區(qū)域和所述交接區(qū)域沿所述運(yùn)送區(qū)塊排列。

7.如權(quán)利要求6所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述交接區(qū)域配置在比所述處理區(qū)域更靠近所述液處理組件的一側(cè)。

8.如權(quán)利要求7所述的基片處理裝置，其特征在于，包括：

第一排氣路徑，其從所述處理區(qū)域排出所述超臨界狀態(tài)的處理流體；和

對所述交接區(qū)域進(jìn)行排氣的第二排氣路徑。

9.如權(quán)利要求1、2、4、7的任一項(xiàng)所述的基片處理裝置，其特征在于：

各所述處理區(qū)塊還包括向所述干燥組件供給所述處理流體的供給組件，

同一個(gè)所述處理區(qū)塊包含的所述液處理組件、所述干燥組件和所述供給組件，相對于所述運(yùn)送區(qū)塊的所述運(yùn)送裝置的移動(dòng)方向配置在相同側(cè)。