[實(shí)用新型]基板處理裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821587754.1 | 申請日: | 2018-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN208938930U | 公開(公告)日: | 2019-06-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 大野宏樹;佐藤秀明;稻田尊士;河野央;西脇良典;大津孝彥 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 磷酸處理液 基板處理裝置 析出 循環(huán)路徑 供給部 基板處理 防止劑 蝕刻 本實(shí)用新型 含硅化合物 氮化硅膜 硅氧化物 蝕刻處理 混合部 | ||
1.一種基板處理裝置,其特征在于,具備:
基板處理槽;
磷酸處理液供給部,其供給在所述基板處理槽中的蝕刻處理中使用的磷酸處理液;
循環(huán)路徑,其用于使被供給到所述基板處理槽的所述磷酸處理液循環(huán);
SiO2析出防止劑供給部,其向所述循環(huán)路徑供給SiO2析出防止劑;以及
混合部,其將含硅化合物混合到供給至所述循環(huán)路徑之前的所述磷酸處理液中。
2.一種基板處理裝置,其特征在于,具備:
基板處理槽;
磷酸處理液供給部,其供給在所述基板處理槽中的蝕刻處理中使用的磷酸處理液;
SiO2析出防止劑供給部,其供給SiO2析出防止劑;
循環(huán)路徑,其用于使被供給到所述基板處理槽的所述磷酸處理液循環(huán);以及
混合部,其將所述SiO2析出防止劑混合到供給至所述循環(huán)路徑之前的所述磷酸處理液中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述混合部為將從所述磷酸處理液供給部供給的所述磷酸處理液與從所述SiO2析出防止劑供給部供給的所述SiO2析出防止劑混合后進(jìn)行貯存的預(yù)備罐。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置,其特征在于,
具備預(yù)備罐,所述預(yù)備罐用于將含硅化合物混合到從所述磷酸處理液供給部供給的所述磷酸處理液中后進(jìn)行貯存,
所述混合部將所述SiO2析出防止劑混合到從所述預(yù)備罐供給的所述磷酸處理液中。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述混合部將所述SiO2析出防止劑混合到常溫的所述磷酸處理液中。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述混合部通過使所述磷酸處理液和所述SiO2析出防止劑產(chǎn)生紊流,來將所述SiO2析出防止劑混合到所述磷酸處理液中。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





