[實用新型]適用于極低TRIAC調光深度的LED電流紋波消除電路

有效

• 申請號: 201821585512.9
• 申請日: 2018-09-28
• 公開（公告）號: CN209390413U
• 公開（公告）日: 2019-09-13
• 發明（設計）人: 莊華龍;劉羽
• 申請（專利權）人: 帝奧微電子有限公司
• 主分類號: H05B33/08
• 分類號: H05B33/08
• 代理公司: 上海宏威知識產權代理有限公司 31250
• 代理人: 趙芳梅

1.一種適用于極低TRIAC調光深度的LED電流紋波消除電路,構建于LED驅動系統上，所述LED驅動系統包括一LED負載、一MOS管及一恒流控制電路，所述LED負載連接于所述MOS管的一漏極與所述恒流控制電路間，所述MOS管的一源極接地并連接至所述恒流控制電路，一電容的一端與所述恒流控制電路連接，而所述MOS管的源極則透過一電阻接地，其特征在于：所述適用于極低TRIAC調光深度的LED電流紋波消除電路包括:

一電流紋波控制模塊，分別與所述MOS管的一柵極、所述MOS管的源極、一低環路響應模塊、一LEDN電位檢測響應模塊、一啟動快速響應模塊及一調光快速響應模塊連接，并連接至所述電容遠離所述恒流控制電路的一VC端，用以通過調整所述MOS管的一柵源電壓，從而調整所述MOS管的一導通阻抗，將一前級恒流輸出的電流紋波轉換成所述MOS管的漏源兩端的電壓紋波；

所述低環路響應模塊，又分別與所述電位檢測響應模塊及所述電容的VC端連接并接地；

所述LEDN電位檢測響應模塊，又分別與所述電容的VC端、所述MOS管的漏極、以及所述LED負載遠離所述恒流控制電路的LEDN端連接，用以根據所述LEDN端的電位來控制流入所述VC端電流的大?。?/p>

所述啟動快速響應模塊，用以在前級輸出電流由小變大時，增大流入所述VC端的電流，以增加系統響應速度；以及

所述調光快速響應模塊，用以在TRIAC調光導通角由大變小時，開啟所述VC端對所述接地的泄電通路，快速降低所述MOS管的柵源電壓，使其適應流過小電流情況。

2.如權利要求1所述的適用于極低TRIAC調光深度的LED電流紋波消除電路,其中所述低環路響應模塊所設定正常工作時一系統響應周期至少大于市電電壓有效值波動周期。

3.如權利要求1所述的適用于極低TRIAC調光深度的LED電流紋波消除電路,其中,所述LEDN電位檢測響應模塊在所述MOS管的柵極與漏極之間串聯至少一個zener穩壓二極管和一個限流電阻。

4.如權利要求3所述的適用于極低TRIAC調光深度的LED電流紋波消除電路,其中,所述調光快速響應模塊，在所述LEDN電位檢測響應模塊的zener穩壓二極管兩端間并聯有一高壓二極管。

5.如權利要求4所述的適用于極低TRIAC調光深度的LED電流紋波消除電路,其中,所述調光快速響應模塊，并聯一柵源短接的高壓MOSFET。

6.如權利要求4所述的適用于極低TRIAC調光深度的LED電流紋波消除電路,其中,所述調光快速響應模塊，并聯一高壓雙極型晶體管BJT。

7.如權利要求3所述的適用于極低TRIAC調光深度的LED電流紋波消除電路,其中,所述LEDN電位檢測響應模塊，串聯至少一個雙極型晶體管BJT和一個限流電阻。

8.如權利要求3所述的適用于極低TRIAC調光深度的LED電流紋波消除電路,其中,所述LEDN電位檢測響應模塊,串聯至少一個柵源短接的金屬氧化物半導體場效應管MOSFET和一個限流電阻。

9.如權利要求1所述的適用于極低TRIAC調光深度的LED電流紋波消除電路,其中,所述低環路響應模塊，在MOS管柵極和接地之間串聯一大阻值的電阻。