[實用新型]3D存儲器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821580027.2
• 申請日: 2018-09-27
• 公開（公告）號: CN208797000U
• 公開（公告）日: 2019-04-26
• 發(fā)明（設計）人: 駱中偉;何佳;韓玉輝;劉藩東;華文宇;夏志良
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11573
• 分類號: H01L27/11573;H01L27/11578
• 代理公司: 北京成創(chuàng)同維知識產權代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;張靖琳

1.一種3D存儲器件，其特征在于，包括：

襯底；

位于所述襯底上方的柵疊層結構，所述柵疊層結構包括交替堆疊的多個柵極導體和多個第一層間絕緣層；

沿垂直于所述襯底的方向穿過所述柵疊層結構的絕緣疊層結構，所述絕緣疊層結構包括交替堆疊的多個犧牲層和多個第二層間絕緣層；

沿垂直于所述襯底的方向穿過所述柵疊層結構的隔離層，所述隔離層環(huán)繞所述絕緣疊層；

貫穿所述柵疊層結構的多個溝道柱；以及

貫穿所述絕緣疊層結構的導電通道，

其中，所述隔離層的外側壁的至少一部分為平滑曲面。

2.根據(jù)權利要求1所述的3D存儲器件，其特征在于，所述隔離層在垂直于堆疊方向上的橫截面為包括選自圓環(huán)、橢圓環(huán)和跑道環(huán)中的任一種。

3.根據(jù)權利要求1所述的3D存儲器件，其特征在于，所述隔離層的材料包括絕緣物質。

4.根據(jù)權利要求1所述的3D存儲器件，其特征在于，所述第一層間絕緣層與第二層間絕緣層的材料相同。

5.根據(jù)權利要求1所述的3D存儲器件，其特征在于，所述柵疊層結構中的多個所述柵極導體與所述絕緣疊層結構中的多個所述犧牲層一一對應，每個所述柵極導體與對應的所述犧牲層位于同一層。

6.根據(jù)權利要求1所述的3D存儲器件，其特征在于，所述隔離層沿周向方向具有均勻厚度。

7.根據(jù)權利要求1所述的3D存儲器件，其特征在于，所述柵疊層結構包括核心區(qū)和包圍所述核心區(qū)的臺階區(qū)，

所述存儲器件還包括：鄰近所述隔離層的至少一部分外側壁的多個假溝道柱，所述假溝道柱穿過所述柵疊層結構的核心區(qū)。

8.根據(jù)權利要求7所述的3D存儲器件，其特征在于，所述多個假溝道柱中的至少一些假溝道柱與所述隔離層之間的距離比所述至少一些假溝道柱與所述溝道柱之間的距離更小。

9.根據(jù)權利要求1所述的3D存儲器件，其特征在于，所述導電通道包括多個導電柱組成的陣列。

10.根據(jù)權利要求1所述的3D存儲器件，其特征在于，還包括：位于所述襯底中的CMOS電路，所述導電通道提供所述CMOS電路與外部電路之間的電連接。