[實用新型]半導體器件有效
| 申請號： | 201821571500.0 | 申請日： | 2018-09-26 |
| 公開（公告）號： | CN209282207U | 公開（公告）日： | 2019-08-20 |
| 發明（設計）人： | 林信南;劉美華;劉巖軍 | 申請（專利權）人： | 深圳市晶相技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06;H01L29/41 |
| 代理公司： | 深圳精智聯合知識產權代理有限公司 44393 | 代理人： | 夏聲平 |
| 地址： | 518052 廣東省深圳市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 介質層 漏極 半導體基板 源極 本實用新型 漏電 半導體技術領域 柵極控制能力 肖特基接觸 間隔設置 泄漏電流 關態 伸入 貫穿 | ||
1.一種半導體器件，其特征在于，包括：
半導體基板；
介質層，設置在所述半導體基板上；
源極和漏極，設置在所述介質層上；以及
第一柵極和第二柵極，相互間隔設置在所述介質層上；
其中，所述第一柵極和所述第二柵極位于所述源極和所述漏極之間，所述源極、所述漏極、所述第一柵極和所述第二柵極分別貫穿所述介質層、且均伸入所述半導體基板但不貫穿所述半導體基板。
2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體基板包括：硅襯底，以及設置于所述硅襯底表面的氮化鎵緩沖層和設置于所述氮化鎵緩沖層表面的氮化鎵鋁層；其中，所述源極、所述漏極、所述第一柵極和所述第二柵極均伸入所述氮化鎵鋁層但不貫穿所述氮化鎵鋁層。
3.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述源極和所述漏極由歐姆接觸金屬組成，所述第一柵極和所述第二柵極由從下至上依次設置的柵極金屬和所述歐姆接觸金屬組成；其中，所述歐姆接觸金屬包括從下至上依次設置的第一鈦金屬層、鋁金屬層、第二鈦金屬層和第一氮化鈦層，所述柵極金屬為另一氮化鈦層。
4.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述氮化鎵緩沖層的厚度大于3微米。
5.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一柵極的底部的寬度小于所述第二柵極的底部的寬度。
6.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一柵極的底部的寬度為所述第二柵極的底部的寬度的一半。
7.如權利要求5或6所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括雙柵結構高電子遷移率晶體管，且所述雙柵結構高電子遷移率晶體管具有所述源極、所述漏極、所述第一柵極和所述第二柵極。
8.一種半導體器件，其特征在于，包括：
半導體基板，包括：硅襯底，以及設置于所述硅襯底表面的緩沖層和設置于所述緩沖層表面的勢壘層；
介質層，設置在所述半導體基板上，其中，源極接觸孔、漏極接觸孔、第一柵極接觸孔和第二柵極接觸孔均貫穿所述介質層、并均伸入所述勢壘層但不貫穿所述勢壘層；以及
源極、漏極、第一柵極和第二柵極，設置在所述介質層上且分別填充所述源極接觸孔、所述漏極接觸孔、所述第一柵極接觸孔和所述第二柵極接觸孔；
其中，所述第一柵極接觸孔和所述第二柵極接觸孔位于所述源極接觸孔和所述漏極接觸孔之間，所述第一柵極接觸孔的寬度小于所述第二柵極接觸孔的寬度。
9.如權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，所述第一柵極接觸孔鄰近所述源極接觸孔設置，所述第二柵極接觸孔鄰近所述漏極接觸孔設置；所述半導體器件包括雙柵結構高電子遷移率晶體管，且所述雙柵結構高電子遷移率晶體管具有所述源極、所述漏極、所述第一柵極和所述第二柵極。
10.如權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，所述第一柵極接觸孔的寬度為所述第二柵極接觸孔的寬度的一半。
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