[實用新型]一種可調節偏振和光譜的成像探測芯片有效
| 申請號： | 201821563280.7 | 申請日： | 2018-09-21 |
| 公開（公告）號： | CN208795365U | 公開（公告）日： | 2019-04-26 |
| 發明（設計）人： | 張湯安蘇;張新宇 | 申請（專利權）人： | 南京奧譜依電子科技有限公司 |
| 主分類號： | G01J3/02 | 分類號： | G01J3/02 |
| 代理公司： | 武漢臻誠專利代理事務所(普通合伙) 42233 | 代理人： | 宋業斌 |
| 地址： | 210019 江蘇省南京市建鄴區江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光譜 液晶定向層 從上到下 平行設置 電極 本實用新型 成像探測 光譜模塊 偏振模塊 偏振圖案 探測技術 可調節 液晶層 偏振 偏振光 芯片 光學介質層 能量利用率 光柵 電極引線 光敏陣列 偏振成像 探測性能 光成像 透光 探測 應用 | ||
1.一種可調節偏振和光譜的成像探測芯片，包括從上到下平行設置、且透光面積完全相同的電調偏振模塊、電調光譜模塊、以及光敏陣列，其特征在于，
電調偏振模塊包括從上到下平行設置的電調偏振圖案電極引線層、第一基片、電調偏振圖案電極、第一液晶定向層、第一液晶層、第二基片、以及光學介質層；
電調光譜模塊包括從上到下平行設置的第三基片、第一電調光譜電極、第二液晶定向層、第二液晶層、第三液晶定向層、第二電調光譜電極、以及第四基片；
電調偏振圖案電極包括m*n個單元電調偏振電極，其中m和n都是大于或等于1的整數；
每個單元電調偏振電極包括4個相對于X軸方向和Y軸方向對稱排列的光柵，每個光柵的兩端均設置有一個引腳；
一對金屬線分別從每一個光柵的兩個引腳伸出，垂直穿過第一基片和電調偏振圖案電極引線層后，分別連接到外部電壓信號U1；
一對金屬線分別從第一電調光譜電極和第二電調光譜電極的同一側引出，并分別連接到外部電壓信號U2的兩端，且有U1≠U2。
2.根據權利要求1所述的成像探測芯片，其特征在于，其中一個光柵是相對于X軸方向呈+45度，與該光柵相鄰的兩個光柵分別是相對于X軸方向呈90度和0度，與該光柵呈對角線方向的另一個光柵是相對于X軸方向呈-45度。
3.根據權利要求1所述的成像探測芯片，其特征在于，進一步包括增透膜，其設置于電調偏振圖案電極引線層的上方，是由適用于可見光譜域或紅外譜域的光學增透材料制成，厚度為100納米到800納米。
4.根據權利要求1所述的成像探測芯片，其特征在于，第一基片、第二基片、第三基片、以及第四基片均是由透光石英、光學樹脂、玻璃、和/或塑料制成，其厚度為1毫米到5毫米。
5.根據權利要求1所述的成像探測芯片，其特征在于，
第一液晶層和第二液晶層的厚度在5微米到500微米之間；
第一電調光譜電極和第二電調光譜電極均是由金屬材料制成，其厚度是50納米到500納米之間。
6.根據權利要求1所述的成像探測芯片，其特征在于，光敏陣列采用可見光或紅外光敏陣列，其陣列規模是p*q，其中p和q的取值范圍是64到10000之間。
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