[實(shí)用新型]一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821561832.0
• 申請(qǐng)日: 2018-09-25
• 公開（公告）號(hào): CN209150141U
• 公開（公告）日: 2019-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林素慧;許圣賢;沈孟駿;夏章艮;黃禹杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/20
• 分類號(hào): H01L33/20;H01L33/38
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，包括：由第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層及夾在兩層之間的活性層構(gòu)成的發(fā)光外延層，其厚度為T，露出臺(tái)面的第一半導(dǎo)體層，連接至第二半導(dǎo)體層的第二電極，以及絕緣保護(hù)層，其特征在于：于所述臺(tái)面上形成有一凹凸溝槽結(jié)構(gòu)，其高度為H，第一電極包裹所述凹凸溝槽結(jié)構(gòu)并連接至所述第一半導(dǎo)體層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一電極外表面具有一臺(tái)階，定義位于所述臺(tái)階之上的第一電極為上電極部，位于所述臺(tái)階之下的第一電極為下電極部，所述絕緣保護(hù)層附著于所述下電極部的側(cè)壁及臺(tái)階的上表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于：所示第一電極外形具有凹凸起伏結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述凹凸溝槽結(jié)構(gòu)的俯視圖角度呈封閉式或者半封閉式。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述凹凸溝槽結(jié)構(gòu)的高度H與所述發(fā)光外延層的厚度T符合關(guān)系式：1/3T≤H≤T。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述凹凸溝槽結(jié)構(gòu)的高度H≥1μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述凹凸溝槽結(jié)構(gòu)為部分保留的發(fā)光外延層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述凹凸溝槽結(jié)構(gòu)為介質(zhì)層或者金屬層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述絕緣保護(hù)層材料選用SiO₂或Si₃N₄或Al₂O₃ 或TiO₂。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一電極的表層金屬包括Ti或TiN或Cr或Ni粘附金屬層。