[實用新型]一種多晶硅鑄錠爐用石墨角接器

有效

• 申請號: 201821559659.0
• 申請日: 2018-09-25
• 公開（公告）號: CN209162245U
• 公開（公告）日: 2019-07-26
• 發明（設計）人: 明亮;段金剛;黃美玲;喻鵬輝;黃俊;劉福鋼
• 申請（專利權）人: 湖南紅太陽光電科技有限公司
• 主分類號: C30B28/06
• 分類號: C30B28/06;C30B29/06
• 代理公司: 湖南兆弘專利事務所(普通合伙) 43008
• 代理人: 周長清;戴玲

本實用新型公開了一種多晶硅鑄錠爐用石墨角接器，包括石墨橫梁和連接臂，連接臂豎向設置，并與石墨橫梁連接形成L形結構，連接臂上設有至少兩列安裝孔，安裝孔用于安裝多晶硅鑄錠爐的側部加熱器，每列安裝孔從上至少設置多個以使側部加熱器的高度可調節。本實用新型可以根據裝料高度的不同，選擇不同的孔安裝側加熱器，側部加熱器可以沿著鑄錠爐內坩堝的高度方向調節，可滿足全熔和半熔鑄錠工藝切換，從而可以更好地調整溫度場分布，避免了現有技術中采用兩套角接器帶來的拆裝麻煩的問題。

技術領域

本實用新型涉及多晶硅鑄制備，尤其涉及一種多晶硅鑄錠爐用石墨角接器。

背景技術

鑄錠多晶硅主要基于材料學的晶體形核與長大以及定向凝固原理。一般來說，多晶硅鑄錠的制備方法分為同質籽晶外延生長制備工藝與異質籽晶輔助生長制備工藝，也稱半熔多晶鑄錠工藝與全熔多晶鑄錠工藝。

全熔高效多晶鑄錠工藝主要的特點是將非硅/含硅材料等形核物質固定在石英坩堝底部，用做在硅晶體生長初期提供引晶點。其關鍵點是硅料全部熔化后，要利用高溫對氮化硅涂層和形核物質進行有力的侵蝕，使形核物局部熔化后起到引晶點的作用。半熔高效多晶鑄錠工藝主要的特點是將晶體硅碎料等籽晶物質鋪設于石英坩堝底部，充當晶體生長初期的籽晶。其關鍵點是在熔化過程中，坩堝底部需要保持較低的溫度，保證一定高度的籽晶物質存留，起到引晶的作用。

由于全熔和半熔鑄錠對坩堝底部溫度的要求不同，全熔多晶鑄錠需要將鑄錠爐側加熱器往下放，接近坩堝底部位置，從而是坩堝底部溫度升高。半熔多晶鑄錠需要將鑄錠爐側加熱器往上放，遠離坩堝位置，保持坩堝底部較低的溫度。因此，如果需要在兩種工藝間切換，需要準備兩套石墨角接器，拆裝過程比較費時費力。

實用新型內容

本實用新型要解決的技術問題是克服現有技術的不足，提供一種側部加熱器可以沿著鑄錠爐內坩堝的高度方向調節、以滿足全熔和半熔鑄錠工藝切換的多晶硅鑄錠爐用石墨角接器。

為解決上述技術問題，本實用新型采用以下技術方案：

一種多晶硅鑄錠爐用石墨角接器，包括石墨橫梁和連接臂，所述連接臂豎向設置，并與石墨橫梁連接形成L形結構，所述連接臂上設有至少兩列安裝孔，所述安裝孔用于安裝多晶硅鑄錠爐的側部加熱器，每列安裝孔從上至少設置多個以使側部加熱器的高度可調節。

作為上述技術方案的進一步改進，優選的，每列安裝孔中相鄰兩個安裝孔之間的間距全部相同或全部不同或部分不同。

作為上述技術方案的進一步改進，優選的，每列安裝孔中相鄰兩個安裝孔之間的間距為20mm～80mm。

作為上述技術方案的進一步改進，優選的，所述安裝孔為圓孔，其直徑為8mm～20mm。

作為上述技術方案的進一步改進，優選的，所述安裝孔為方孔。

作為上述技術方案的進一步改進，優選的，所述連接臂的長度為80mm～1000mm。

作為上述技術方案的進一步改進，優選的，所述連接臂的寬度為80mm～150mm。

作為上述技術方案的進一步改進，優選的，所述連接臂的厚度為5mm～50mm。

一種多晶硅鑄錠爐用石墨角接器，包括石墨橫梁和連接臂，所述連接臂豎向設置，并與石墨橫梁連接形成L形結構，所述連接臂上設有至少兩列安裝孔，所述安裝孔用于安裝多晶硅鑄錠爐的側部加熱器，每列安裝孔從上至少設置多個以使側部加熱器的高度可調節，每列安裝孔中相鄰兩個安裝孔通過切槽連通，所述切槽的沿水平方向的寬度小于安裝孔沿水平方向的寬度。

與現有技術相比，本實用新型的優點在于：