[實(shí)用新型]太陽(yáng)能電池片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821556074.3
• 申請(qǐng)日: 2018-09-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN208954997U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-06-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉志強(qiáng);費(fèi)正洪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鹽城阿特斯協(xié)鑫陽(yáng)光電力科技有限公司;蘇州阿特斯陽(yáng)光電力科技有限公司;阿特斯陽(yáng)光電力集團(tuán)有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0352
• 分類號(hào): H01L31/0352;H01L31/042
• 代理公司: 蘇州威世朋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235
• 代理人: 韓曉園

本實(shí)用新型提供了一種太陽(yáng)能電池片，其包括硅片；位于所述硅片表面的擴(kuò)散層，所述擴(kuò)散層包括輕摻雜區(qū)、緩沖摻雜區(qū)、重?fù)诫s區(qū)，所述重?fù)诫s區(qū)位于所述緩沖摻雜區(qū)內(nèi)，輕摻雜區(qū)的方阻＞緩沖摻雜區(qū)的方阻＞重?fù)诫s區(qū)的方阻；電極，所述電極位于所述重?fù)诫s區(qū)上并與所述重?fù)诫s區(qū)形成歐姆接觸。本實(shí)用新型的太陽(yáng)能電池片，通過(guò)設(shè)置緩沖摻雜區(qū)，且緩沖摻雜區(qū)的方阻介于輕摻雜區(qū)與重?fù)诫s區(qū)之間，當(dāng)由于工藝誤差電極與重?fù)诫s區(qū)不能完全重合時(shí)，緩沖摻雜區(qū)可以與偏移的電極形成歐姆接觸，由于其摻雜適中，不會(huì)導(dǎo)致少子壽命嚴(yán)重偏低，大大改善了電池的效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及太陽(yáng)能電池制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種電池效率較高的太陽(yáng)能電池片。

背景技術(shù)

在太陽(yáng)能電池制造工藝中，擴(kuò)散摻雜制備PN結(jié)是主要的工序之一。擴(kuò)散工序在摻雜磷原子制備發(fā)射極的過(guò)程中，較輕的摻雜可以減少少子復(fù)合，增加少子壽命，但較輕的摻雜導(dǎo)致了金屬電極銀與硅接觸不好，增大了接觸電阻。選擇性發(fā)射極是一種在金屬電極區(qū)域重?fù)诫s，在非金屬區(qū)域輕摻雜的擴(kuò)散技術(shù)，這樣既可以保證銀與硅接觸又可以增加少子壽命。

激光摻雜選擇性發(fā)射極(LDSE)是利用激光光束選擇性的照射硅表面，使硅襯底變成熔融狀態(tài)，摻雜原子可以迅速進(jìn)入熔融硅中，當(dāng)激光光束消失后，熔融的硅冷卻結(jié)晶，摻雜原子就進(jìn)入硅晶體中，形成重?fù)诫s區(qū)。激光摻雜選擇性發(fā)射極中的一種制備流程如下：制絨→擴(kuò)散→激光摻雜→刻蝕→PECVD鍍膜→絲網(wǎng)印刷→燒結(jié)測(cè)試。

其中，在激光摻雜工序中，激光按照絲網(wǎng)印刷網(wǎng)版圖形進(jìn)行光照摻雜，在后道絲網(wǎng)印刷圖形區(qū)域形成重?fù)诫s。如圖1所示，在硅片1’表面具有輕摻雜區(qū) 11’和重?fù)诫s區(qū)13’；由于絲網(wǎng)印刷會(huì)存在部分硅片1’偏移和隨著網(wǎng)版使用壽命，柵線2’逐漸變寬等因素影響，激光重?fù)诫s區(qū)域13’的寬度必須遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于柵線2’的寬度，典型的例子中，激光摻雜寬度80um，銀柵線寬度40um。由于重?fù)诫s區(qū)域的寬度大于銀柵線的寬度，導(dǎo)致未與銀柵線接觸的重?fù)诫s區(qū)復(fù)合嚴(yán)重，少數(shù)載流子壽命低，影響電池100’的效率。

有鑒于此，有必要提供一種改進(jìn)的太陽(yáng)能電池片，以解決上述問(wèn)題。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于提供一種電池效率較高的太陽(yáng)能電池片。

為實(shí)現(xiàn)上述實(shí)用新型目的，本實(shí)用新型提供一種太陽(yáng)能電池片，其包括硅片；位于所述硅片表面的擴(kuò)散層，所述擴(kuò)散層包括輕摻雜區(qū)、緩沖摻雜區(qū)、重?fù)诫s區(qū)，所述重?fù)诫s區(qū)位于所述緩沖摻雜區(qū)內(nèi)，輕摻雜區(qū)的方阻＞緩沖摻雜區(qū)的方阻＞重?fù)诫s區(qū)的方阻；電極，所述電極位于所述重?fù)诫s區(qū)上并與所述重?fù)诫s區(qū)形成歐姆接觸。

作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，位于所述重?fù)诫s區(qū)寬度方向兩側(cè)的所述緩沖摻雜區(qū)的寬度介于所述重?fù)诫s區(qū)寬度的1/4～3/4之間。

作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，位于所述重?fù)诫s區(qū)寬度方向兩側(cè)的所述緩沖摻雜區(qū)的寬度均為所述重?fù)诫s區(qū)寬度的1/2。

作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，位于所述重?fù)诫s區(qū)寬度方向兩側(cè)的所述緩沖摻雜區(qū)的寬度相同或不同。

作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述重?fù)诫s區(qū)的寬度為所述電極寬度的0.8 倍～1.2倍。

作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述重?fù)诫s區(qū)的寬度與所述電極的寬度相同。

作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述輕摻雜區(qū)的方阻為130ohm±20ohm，所述緩沖摻雜區(qū)的方阻為100ohm±20ohm，所述重?fù)诫s區(qū)的方阻為60ohm± 10ohm。

作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述硅片為P型硅，所述擴(kuò)散層為磷擴(kuò)散層。

作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述硅片為N型硅，所述擴(kuò)散層為硼擴(kuò)散層。