[實用新型]一種多量子阱結(jié)構(gòu)及其發(fā)光二極管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821548054.1
• 申請日: 2018-09-21
• 公開（公告）號: CN208753355U
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 徐志波;林兓兓;蔡吉明
• 申請（專利權(quán)）人: 安徽三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種多量子阱結(jié)構(gòu)，由復(fù)數(shù)個發(fā)光基本單元交替層疊而成，其特征在于：每一個發(fā)光基本單元從下至上依次包括第一勢阱層、第一勢壘層、第二勢阱層和第二勢壘層，所述第一勢壘層的厚度大于所述第二勢壘層的厚度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多量子阱結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一勢壘層與所述第二勢壘層的厚度差為：1nm~6nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多量子阱結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一勢壘層為n型氮化物層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多量子阱結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第二勢壘層為非故意摻雜氮化物層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多量子阱結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一勢壘層的厚度為：5nm~9nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多量子阱結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第二勢壘層的厚度為：3nm~7nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多量子阱結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一勢壘層為n-GaN層或者n-AlGaN層或者n-AlN層或者n-AlInGaN層或者上述任意兩層的組成的復(fù)合結(jié)構(gòu)層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多量子阱結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第二勢壘層為GaN層或者AlGaN層或者AlN層或者AlInGaN層或者上述任意兩層的組成的復(fù)合結(jié)構(gòu)層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多量子阱結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一勢阱層與所述第二勢阱層結(jié)構(gòu)相同。

10.一種發(fā)光二極管，包括襯底、形成于襯底上的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、以及設(shè)置于所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層與所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之間的多量子阱結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述多量子阱結(jié)構(gòu)采用權(quán)利要求1~9任意一種結(jié)構(gòu)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于：該發(fā)光二極管還包括設(shè)置于第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上的第一電極和設(shè)置于第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上的第二電極。