[實用新型]晶體管和半導體存儲器

有效

• 申請號: 201821545397.2
• 申請日: 2018-09-20
• 公開（公告）號: CN209045568U
• 公開（公告）日: 2019-06-28
• 發明（設計）人: 趙亮
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L27/115
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

本實用新型提供一種晶體管和半導體存儲器，所述晶體管具有沿第二方向延伸的鰭片，第一摻雜區形成在所述鰭片的豎直鰭片部的頂端中，第二摻雜區形成在所述鰭片的水平直鰭片部中，第一柵極設置在所述水平直鰭片部上并沿所述第一方向延伸，由此使得所述第一摻雜區與第二摻雜區之間形成垂直L型溝道，可以增加有效溝道長度，克服短溝道效應，有利于實現更小的特征尺寸；本實用新型的晶體管還具有第二柵極，能接入襯底電壓，優化晶體管電性，該第二柵極還能作為備用柵極來替換損壞的所述第一柵極，提高使用壽命；本實用新型的晶體管的埋入式導線使晶體管外圍的隔離更加容易形成。

技術領域

本實用新型涉及集成電路制造技術領域，尤其涉及一種晶體管和半導體存儲器。

背景技術

在半導體器件尤其是存儲器領域，增大器件集成度的方法包括減小器件特征尺寸和改善單元結構。但是隨著特征尺寸的減小，小尺寸晶體管會產生嚴重的短溝道效應，故可以通過改善器件單元結構，例如設計立體的晶體管結構，可以使得在相同特征尺寸條件下單個器件單元所占面積大大減小，從而增大器件集成度。但是目前已有的很多立體晶體管沒有襯底電壓，會造成器件的電性降低。

因此需要設計一種新的立式晶體管結構和半導體存儲器，能夠提供襯底電壓以改善晶體管電性。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種晶體管和半導體存儲器，能提供襯底電壓以改善晶體管電性，同時提高晶體管的良率。

為了實現上述目的，本實用新型提供一種晶體管，包括：

半導體襯底，所述半導體襯底具有鰭片，所述鰭片包括沿水平鰭片部以及設置在所述水平鰭片部的一端上的豎直鰭片部，且所述水平鰭片部中形成有第二摻雜區，所述豎直鰭片部中形成有第一摻雜區；

第一柵極，設置在所述水平鰭片部上并沿第一方向延伸；

第二柵極，設置在所述豎直鰭片部遠離所述第一柵極一側，并沿第一方向延伸，所述第二柵極與所述第一柵極并排設置并通過所述豎直鰭片部間隔開。

可選地，所述半導體襯底還具有沿所述第一方向延伸的第一溝槽，所述第一溝槽位于所述豎直鰭片部背向所述水平鰭片部的一側，并且所述第一溝槽的底部延伸至所述水平鰭片部連接所述豎直鰭片部的一端的側壁，并使所述豎直鰭片部背向所述水平鰭片部的側壁以及所述水平鰭片部連接所述豎直鰭片部的一端的側壁暴露在所述第一溝槽中；所述第二柵極埋設于所述第一溝槽中。

可選地，所述半導體襯底還具有第二溝槽，所述第二溝槽沿第二方向延伸并暴露出所述鰭片沿所述第二方向延伸的側壁，所述第一溝槽沿著第一方向的端部延伸至所述第二溝槽，以使所述第一溝槽和所述第二溝槽在所述第二溝槽的側壁上連通，所述第二溝槽中埋設有沿著第二方向延伸的埋入式導線，所述埋入式導線和第二摻雜區電連接，所述第一柵極和所述第二柵極沿第一方向延伸至所述第二溝槽中并跨設在所述埋入式導線上方。

可選地，所述的晶體管還包括導電接觸結構，形成在所述第二溝槽中，并設置在所述埋入式導線和所述第二摻雜區之間，所述導電接觸結構的一側壁與所述第二摻雜區的側壁表面接觸，所述導電接觸結構的另一側壁與所述埋入式導線的側壁表面接觸，所述導電接觸結構的底表面與所述第二溝槽底部的半導體襯底表面隔離。

可選地，所述的晶體管還包括第一介質層，所述第一介質層填充于所述第一溝槽和所述第二溝槽中并覆蓋在所述豎直鰭片部遠離所述第一柵極一側的半導體襯底上，所述埋入式導線位于所述第二溝槽中的所述第一介質層上，所述第二柵極位于所述第一溝槽中的所述第一介質層上。

可選地，所述的晶體管還包括第二介質層，所述第二介質層填充在所述第二溝槽中并將所述埋入式導線掩埋在內。