[實(shí)用新型]芯片密封環(huán)結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體芯片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201821542298.9 | 申請(qǐng)日： | 2018-09-20 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN208706621U | 公開（公告）日： | 2019-04-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 不公告發(fā)明人 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/00 | 分類號(hào)： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 金屬層圖案 底保護(hù)層 密封環(huán) 絕緣介質(zhì)層 防潮層 開口 隔離 暴露 半導(dǎo)體芯片 本實(shí)用新型 芯片密封 環(huán)結(jié)構(gòu) 氣液 芯片 表面形成 芯片周邊 水汽 金屬層 制程 氧氣 阻擋 侵蝕 覆蓋 | ||
1.一種芯片密封環(huán)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片密封環(huán)結(jié)構(gòu)至少包括：
芯片(10)；
底保護(hù)層(11)，位于所述芯片(10)的主動(dòng)面上；
密封環(huán)金屬層圖案(12)，位于所述底保護(hù)層(11)上，且所述密封環(huán)金屬層圖案(12)位于所述芯片(10)的主動(dòng)面周邊；
絕緣介質(zhì)層(13)，位于所述底保護(hù)層(11)上，所述絕緣介質(zhì)層(13)具有隔離開口(132)，所述隔離開口(132)暴露所述密封環(huán)金屬層圖案(12)和所述底保護(hù)層(11)；以及，
防潮層(15)，位于所述絕緣介質(zhì)層(13)上及所述隔離開口(132)內(nèi)，所述防潮層(15)覆蓋所述密封環(huán)金屬層圖案(12)的第一暴露部位(12a)以及所述底保護(hù)層(11)在所述隔離開口(132)內(nèi)的第二暴露部位(11a)；
其中，所述芯片密封環(huán)結(jié)構(gòu)通過覆蓋在所述密封環(huán)金屬層圖案(12)上的所述防潮層(15)來增強(qiáng)氣液阻擋能力，從而避免所述密封環(huán)金屬層圖案(12)受到氣液氧化或侵蝕。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片密封環(huán)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述隔離開口(132)的寬度大于等于所述密封環(huán)金屬層圖案(12)的寬度，以使所述密封環(huán)金屬層圖案(12)完全暴露于所述隔離開口(132)中，且所述防潮層(15)覆蓋所述密封環(huán)金屬層圖案(12)表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片密封環(huán)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述隔離開口(132)的寬度小于所述密封環(huán)金屬層圖案(12)的寬度，以使所述密封環(huán)金屬層圖案(12)部分暴露于所述隔離開口(132)中，且所述密封環(huán)金屬層圖案(12)局部嵌埋于所述絕緣介質(zhì)層(13)中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片密封環(huán)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述密封環(huán)金屬層圖案(12)包括至少一個(gè)連續(xù)金屬環(huán)結(jié)構(gòu)，所述連續(xù)金屬環(huán)結(jié)構(gòu)由多個(gè)阻障層(122)和金屬層(121)以及插塞部(123)交錯(cuò)堆棧形成，且所述金屬層(121)之間通過所述阻障層(122)和所述插塞部(123)來實(shí)現(xiàn)金屬互連。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片密封環(huán)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述隔離開口(132)至少暴露所述密封環(huán)金屬層圖案(12)的一個(gè)所述連續(xù)金屬環(huán)結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片密封環(huán)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片密封環(huán)結(jié)構(gòu)還包括：
頂遮蓋層(16)，位于所述防潮層(15)上。
7.一種半導(dǎo)體芯片，其特征在于，所述半導(dǎo)體芯片至少包括：如權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的芯片密封環(huán)結(jié)構(gòu)。
8.一種半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
晶圓，所述晶圓上包含若干個(gè)芯片(10)以及位于相鄰芯片(10)之間的切割道(20)；
如權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的芯片密封環(huán)結(jié)構(gòu)，位于所述芯片(10)周圍區(qū)域與所述切割道(20)之間；以及
焊盤金屬層圖案(17)，位于所述芯片(10)周圍區(qū)域內(nèi)，且所述焊盤金屬層圖案(17)被部分包裹于所述絕緣介質(zhì)層(13)內(nèi)；
焊盤區(qū)域，位于所述焊盤金屬層圖案(17)上，包含芯片焊盤以及焊盤開口(171)，其中，所述焊盤開口(171)暴露所述焊盤金屬層圖案(17)的部分作為所述芯片焊盤。
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