[實用新型]多比特數字控制的精確電流源電路有效
| 申請號： | 201821529288.1 | 申請日： | 2018-09-18 |
| 公開（公告）號： | CN208636739U | 公開（公告）日： | 2019-03-22 |
| 發明（設計）人： | 曹天霖;何一超;樓潔;李晴平;李卓遠 | 申請（專利權）人： | 杭州洪芯微電子科技有限公司 |
| 主分類號： | G05F1/56 | 分類號： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 杭州裕陽聯合專利代理有限公司 33289 | 代理人： | 姚宇吉 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市江干*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電流源陣列 數字控制信號 基準電流 偏置電壓 數字邏輯控制單元 電壓緩沖單元 開關陣列單元 電流源電路 緩沖電壓 數字控制 信號控制電流 本實用新型 電流源導通 電壓緩沖器 基準電流源 級聯結構 接收緩沖 生成控制 通斷信號 陣列單元 電流源 檢測 關斷 響應 開通 | ||
1.一種多比特數字控制的精確電流源電路，其特征在于，包括：
基準電流檢測單元，耦接基準電流源，用于根據所述基準電流源的基準電流生成第一偏置電壓；
電壓緩沖單元，耦接所述基準電流檢測單元，用于接收所述基準電流檢測單元的第一偏置電壓，同時，根據第一偏置電壓生成緩沖電壓；
數字邏輯控制單元，耦接所述電壓緩沖單元，用于接收所述電壓緩沖單元的緩沖電壓，同時，根據緩沖電壓生成數字控制信號；
開關陣列單元，耦接所述數字邏輯控制單元，用于接收所述數字邏輯控制單元的數字控制信號，同時，根據數字控制信號生成控制電流源陣列單元的通斷信號；以及
電流源陣列單元，耦接所述開關陣列單元和所述基準電流檢測單元，用于接收并響應所述開關陣列單元的通斷信號控制電流源陣列單元中的電流源導通或關斷。
2.根據權利要求1所述的多比特數字控制的精確電流源電路，其特征在于，所述基準電流檢測單元包括：
電阻，包括正端和反端，正端耦接基準電流源的輸出端和所述電壓緩沖單元的輸入端，負端耦接第一NMOS管的漏端和第二NMOS管的柵端；
第一NMOS管，漏端耦接所述電阻的負端，柵端耦接所述電阻的正端和所述電壓緩沖單元的輸入端，源端耦接第二NMOS管的漏端；以及
第二NMOS管，漏斷耦接所述第一NMOS管的源端，柵端耦接所述電阻的負端和所述電流源陣列單元中電流源的柵端，源端接地。
3.根據權利要求2所述的多比特數字控制的精確電流源電路，其特征在于，所述開關陣列單元包括2的指數倍個子開關，所述電流源陣列單元包括與所述子開關數量對應的電流源。
4.根據權利要求3所述的多比特數字控制的精確電流源電路，其特征在于，若干所述子開關均采用與第一NMOS管相同的NMOS管，NMOS管的柵端耦接所述數字邏輯單元的輸出端，漏斷耦接所述精確電流源電路的輸出端，源端耦接電流源。
5.根據權利要求3所述的多比特數字控制的精確電流源電路，其特征在于，若干所述電流源均采用與第二NMOS管相同的NMOS管，NMOS管的漏端耦接子開關，柵端耦接電阻的負端和第二NMOS管的柵端，源端接地。
6.根據權利要求1～5任意一項所述的多比特數字控制的精確電流源電路，其特征在于，所述電壓緩沖單元的電壓增益為1。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于杭州洪芯微電子科技有限公司，未經杭州洪芯微電子科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201821529288.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
