[實用新型]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821527322.1
• 申請日: 2018-09-18
• 公開（公告）號: CN208655650U
• 公開（公告）日: 2019-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周步康
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L29/78;H01L29/423
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底中形成有源區(qū)及漏區(qū)；

柵極結(jié)構(gòu)，形成于所述源區(qū)和所述漏區(qū)之間的襯底中以構(gòu)成晶體管；以及，

調(diào)整區(qū)，位于所述柵極結(jié)構(gòu)下方的襯底中，以增加所述晶體管的溝道的摻雜濃度。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述漏區(qū)和所述源區(qū)從所述襯底的表面延伸至所述襯底內(nèi)的第一深度位置，所述柵極結(jié)構(gòu)從所述襯底的表面延伸至所述襯底內(nèi)的第二深度位置，所述第二深度位置更下沉于所述第一深度位置，以使沿著所述柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁和底壁從所述源區(qū)至所述漏區(qū)之間的區(qū)域構(gòu)成所述晶體管的溝道，所述調(diào)整區(qū)位于所述襯底的第二深度位置與第三深度位置之間，所述第三深度位置更下沉于所述第二深度位置。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述襯底中還形成有阱區(qū)，所述調(diào)整區(qū)位于所述阱區(qū)中。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述調(diào)整區(qū)的橫向?qū)挾瘸叽缧∮谒鰱艠O結(jié)構(gòu)的橫向?qū)挾瘸叽纭?/p>

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述調(diào)整區(qū)的橫向?qū)挾瘸叽缃橛?nm～5nm。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述晶體管為N型晶體管時，所述調(diào)整區(qū)為P型摻雜以使所述晶體管的溝道的摻雜濃度增加。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述調(diào)整區(qū)摻雜的導(dǎo)電離子包括硼離子。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述調(diào)整區(qū)摻雜的導(dǎo)電離子的濃度介于1E12atoms/cm²～1E13atoms/cm²。