[實用新型]一種集中電流注入的VCSEL芯片有效
| 申請號： | 201821526256.6 | 申請日： | 2018-09-18 |
| 公開（公告）號： | CN208571230U | 公開（公告）日： | 2019-03-01 |
| 發明（設計）人： | 彭鈺仁;賈釗;許晏銘;洪來榮;陳為民;陳進順;翁妹芝;張坤銘;朱鴻根;陳偉明;許勇輝;郭河 | 申請（專利權）人： | 廈門乾照半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/183 | 分類號： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱宗力;王寶筠 |
| 地址： | 361101 福建省廈門市*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電流集中 導電結構 電流通路 正投影 襯底 絕緣層 電流均勻性 電極結構 電連接層 量子阱層 外延結構 氧化結構 電極 出射 單模 申請 配合 | ||
1.一種集中電流注入的VCSEL芯片，其特征在于，包括：
襯底；
位于所述襯底上的外延結構，所述外延結構包括位于所述襯底表面依次層疊設置的量子阱層、限制層和電極接觸層；所述限制層包括導電結構和位于所述導電結構兩側的氧化結構
位于所述電極接觸層背離所述襯底一側，部分覆蓋所述電極接觸層的電流集中層，所述電流集中層在所述襯底上的正投影，位于所述導電結構在所述襯底上的正投影中；
位于所述電流集中層兩側，覆蓋所述電極接觸層的裸露表面以及部分所述電流集中層側壁的絕緣層；
覆蓋所述絕緣層、所述電流集中層頂表面和部分側壁的電連接層；
位于所述電連接層背離所述襯底一側，且部分覆蓋所述電連接層的電極結構，所述電連接層未被所述電極結構覆蓋的區域在所述襯底上的正投影覆蓋所述電極接觸層在所述襯底上的正投影。
2.根據權利要求1所述的集中電流注入的VCSEL芯片，其特征在于，所述電流集中層為磷化鎵層。
3.根據權利要求1所述的集中電流注入的VCSEL芯片，其特征在于，所述外延結構還包括：
位于所述襯底與所述量子阱層之間的第一型反射層；
位于所述限制層和電極接觸層之間的第二型反射層。
4.根據權利要求3所述的集中電流注入的VCSEL芯片，其特征在于，所述第一型反射層為N型分布式布拉格反射鏡DBR層；
所述第二型反射層為P型DBR層。
5.根據權利要求1所述的集中電流注入的VCSEL芯片，其特征在于，所述電極接觸層為砷化鎵層；
所述導電結構為砷化鋁結構；
所述絕緣層為氮化硅層或氧化硅層；
所述電連接層為氧化銦錫層；
所述襯底為砷化鎵襯底。
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