[實用新型]半導體裝置

有效

• 申請號: 201821515216.1
• 申請日: 2018-09-17
• 公開（公告）號: CN208781829U
• 公開（公告）日: 2019-04-23
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/532
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤

1.一種半導體裝置，包括接觸窗，所述接觸窗由設置在所述接觸窗底部的硅襯底、設置在所述接觸窗兩側的介電層、在所述接觸窗底部且在所述硅襯底上沉積的硅化金屬層及在所述介電層表面沉積形成的阻擋層構成，其特征在于，所述接觸窗通過以下步驟以達成，在一沉積室中，于所述硅化金屬層表面通入氨氣，對所述硅化金屬層表面自然氧化形成的氧化硅層進行還原，然后于所述硅化金屬層表面及所述介電層表面沉積形成一層阻擋層。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述硅化金屬層的材料包括硅化鈷、硅化鎳及硅化鈦中的一種或一種以上。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述介電層的材料包括氧化物，所述介電層的厚度介于20納米～200納米。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述阻擋層的材料包括氮化鈦，所述阻擋層的沉積厚度介于2納米～15納米。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，在所述阻擋層表面沉積一層金屬填充物，所述金屬填充物填入所述接觸窗內。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，所述金屬填充物的材料包含鎢。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，研磨所述的金屬填充物，在所述接觸窗內形成鎢金屬栓塞，所述鎢金屬栓塞的高度介于20納米～200納米，所述鎢金屬栓塞的寬度介于15納米～200納米。