[實用新型]薄膜制備設備及其反應腔室有效
| 申請號: | 201821513970.1 | 申請日: | 2018-09-14 |
| 公開(公告)號: | CN209065998U | 公開(公告)日: | 2019-07-05 |
| 發明(設計)人: | 楊康 | 申請(專利權)人: | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;C23C16/26 |
| 代理公司: | 北京律智知識產權代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁禮君;闞梓瑄 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 反應腔室 薄膜制備設備 排氣流道 載物平臺 排氣孔 側壁 腔體 進氣口 本實用新型 輸入反應 同一水平 內周壁 凹陷 抽氣 筒形 制備 薄膜 連通 環繞 體內 流動 | ||
1.一種薄膜制備設備的反應腔室,其特征在于,包括腔體以及設置在所述腔體內的載物平臺;
所述腔體包括:
進氣口,設置在所述載物平臺的上方,用于輸入反應氣體;
筒形的側壁,設置有位于同一水平高度、由側壁的內周壁凹陷形成且環繞所述載物平臺分布的多個排氣孔;以及
排氣流道,連通于每個所述排氣孔;
其中,所述排氣流道抽氣時,載物平臺上方的氣體從中間均勻地向四周流動。
2.根據權利要求1所述的反應腔室,其特征在于,所述排氣流道包括設置在所述側壁內的環空流道以及分別連通所述環空流道對稱兩側的兩個第一通道;
多個所述排氣孔均從所述內周壁延伸到所述環空流道。
3.根據權利要求2所述的反應腔室,其特征在于,所述腔體還包括覆蓋在所述側壁的底部的底壁,兩個所述第一通道從所述環空流道向下延伸到所述底壁;
所述排氣流道還包括設置在所述底壁的中部的出氣口,以及設置在所述側壁內且分別從兩個所述第一通道延伸到所述出氣口的兩個第二通道。
4.根據權利要求3所述的反應腔室,其特征在于,多個所述排氣孔均分為分別靠近兩個所述第二通道的兩組排氣孔,每組排氣孔與其最接近的第二通道相對應;
在每組排氣孔中,越接近其所對應的第二通道則相鄰兩個所述排氣孔之間的間距越大。
5.根據權利要求4所述的反應腔室,其特征在于,在每組排氣孔中,越接近其所對應的第二通道則排氣孔的孔徑越小。
6.根據權利要求1所述的反應腔室,其特征在于,所述腔體還包括覆蓋在所述側壁的頂端的頂壁,所述進氣口設置在所述頂壁的中部。
7.根據權利要求1所述的反應腔室,其特征在于,所述多個排氣孔均勻環繞所述載物平臺;
所述腔體還包括:
覆蓋所述側壁的頂端的頂壁,所述進氣口設置在所述頂壁的中部且朝向所述載物平臺;
覆蓋所述側壁的底端的底壁,所述底壁的中部下方設置有用于排出所述腔體內的氣體的出氣口;
其中,所述腔體的壁面內還設置有連通排氣孔和出氣口的排氣流道,腔體內的氣體從每個排氣孔經排氣流道到達出氣口的路徑相等。
8.根據權利要求7所述的反應腔室,其特征在于,所述排氣流道包括設置在側壁內的第一流道和設置在底壁內的第二流道;
所述第一流道從每個排氣孔延伸到所述第二流道,所述第二流道從所述第一流道延伸到所述出氣口。
9.根據權利要求8所述的反應腔室,其特征在于,所述第一流道為沿著所述側壁的軸向延伸的直流道,所述第二流道為從每個第一流道從徑向延伸到所述出氣口的直流道。
10.根據權利要求8所述的反應腔室,其特征在于,所述第一流道為一端連通每個排氣孔、另一端連通所述第二流道的環空腔室。
11.根據權利要求10所述的反應腔室,其特征在于,所述第二流道為圓盤形的腔室,所述第一流道的端部連接所述第二流道的邊緣,所述出氣口連通于所述第二流道的中部。
12.根據權利要求7至11中任一項所述的反應腔室,其特征在于,所述排氣孔的橫截面為長軸水平設置的橢圓形。
13.根據權利要求12所述的反應腔室,其特征在于,所述橫截面的面積為0.5π~2πcm2。
14.根據權利要求1至11中任一項所述的反應腔室,其特征在于,所述側壁為圓筒形,所述載物平臺為圓形板,所述側壁與所述載物平臺同軸設置。
15.根據權利要求14所述的反應腔室,其特征在于,所述排氣孔平齊于所述載物平臺的承載面。
16.一種薄膜制備設備,其特征在于,包括根據權利要求1至15中任一項所述的反應腔室。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于長鑫存儲技術有限公司,未經長鑫存儲技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201821513970.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





