[實用新型]等離子體沉積裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821512063.5 | 申請日: | 2018-09-14 |
| 公開(公告)號: | CN208949405U | 公開(公告)日: | 2019-06-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 孟杰;胡廣嚴(yán);吳孝哲;吳龍江;林宗賢 | 申請(專利權(quán))人: | 德淮半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/52 | 分類號: | C23C16/52;C23C16/505;C23C14/54 |
| 代理公司: | 上海盈盛知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孫佳胤;陳麗麗 |
| 地址: | 223300 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 反應(yīng)腔室 等離子體沉積裝置 射頻電源 本實用新型 傳感器 輝光 等離子體 半導(dǎo)體制造技術(shù) 傳輸射頻信號 射頻電源功率 半導(dǎo)體生產(chǎn) 沉積膜層 反應(yīng)氣體 輝光放電 晶圓表面 控制器 反應(yīng)腔 晶圓 預(yù)設(shè) 容納 室內(nèi) 傳輸 檢測 | ||
1.一種等離子體沉積裝置,包括用于容納晶圓的反應(yīng)腔室,其特征在于,還包括:
射頻電源,用于向所述反應(yīng)腔室傳輸射頻信號,使所述反應(yīng)腔室中的反應(yīng)氣體發(fā)生輝光放電生成等離子體;
傳感器,用于檢測所述反應(yīng)腔室中的輝光強(qiáng)度;
控制器,同時連接所述傳感器和所述射頻電源,用于判斷所述輝光強(qiáng)度是否在預(yù)設(shè)范圍內(nèi),若否,則調(diào)整所述射頻電源傳輸至所述反應(yīng)腔室的功率大小。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體沉積裝置,其特征在于,所述反應(yīng)腔室的側(cè)壁具有至少一開口,所述傳感器置于所述開口內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體沉積裝置,其特征在于,所述反應(yīng)腔室的側(cè)壁具有關(guān)于所述反應(yīng)腔室的中心對稱分布的多個開口,多個所述傳感器一一置于多個所述開口內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體沉積裝置,其特征在于,還包括設(shè)置于所述傳感器的入光面與所述反應(yīng)腔室之間的過濾器,用于過濾所述反應(yīng)腔室中的干擾光信號。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子體沉積裝置,其特征在于,所述過濾器為僅允許紫外光透過的濾光膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子體沉積裝置,其特征在于,所述過濾器置于所述開口內(nèi);所述過濾器的入光面上設(shè)置有至少一噴嘴,吹掃氣體經(jīng)所述噴嘴朝向所述過濾器的入光面噴射。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子體沉積裝置,其特征在于,至少一噴嘴包括位于所述過濾器邊緣的多個噴嘴,且多個噴嘴關(guān)于所述過濾器的入光面均勻分布。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子體沉積裝置,其特征在于,所述控制器連接所述噴嘴,用于調(diào)整所述噴嘴噴射所述吹掃氣體的流速。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子體沉積裝置,其特征在于,所述吹掃氣體為氮?dú)饣蛘叨栊詺怏w。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的





