[實用新型]一種新型大功率IGBT模塊

有效

• 申請號: 201821508968.5
• 申請日: 2018-09-15
• 公開（公告）號: CN208753306U
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發明（設計）人: 黃亞軍;黎忠瑾
• 申請（專利權）人: 深圳寶銘微電子有限公司
• 主分類號: H01L23/49
• 分類號: H01L23/49
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型公開了一種新型大功率IGBT模塊，包括功率端子、外殼、頂部安裝板和DBC板，所述外殼頂部通過螺絲釘固定安裝有頂部安裝板，所述頂部安裝板上表面固定設置有固定塊，所述固定塊中部固定卡接有安裝螺母，所述固定塊位于安裝螺母一側固定插接有功率端子，所述功率端子位于外殼內部一端固定焊接有接線板；所述外殼底部內壁通過螺絲釘固定安裝有DBC板，所述接線板底部利用超聲波鍵合有鋁線，所述接線板通過鋁線與DBC板電性連接；本實用新型利用超聲波鍵合技術將模塊功率端子與DBC之間通過多根鋁線進行電性連接，同時去除傳統的“S”型結構，不會使焊點產生疲勞，能夠降低功率端子的電感，因此能夠增加模塊的可靠性。

技術領域

本實用新型涉及IGBT模塊技術領域，具體為一種新型大功率IGBT模塊。

背景技術

IGBT指絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。

但是，傳統的IGBT模塊在使用過程中存在一些弊端，比如：

傳統的模塊功率端子和DBC采用釬焊的方式進行焊接，并且考慮到應力的變化，傳統的功率端子設計采用“S”型，但是在實際使用時模塊經受溫度變化循環，焊接點容易疲勞，因此導致模塊可靠性比較低。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種新型大功率IGBT模塊，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案：一種新型大功率IGBT模塊，包括功率端子、外殼、頂部安裝板和DBC板，所述外殼頂部通過螺絲釘固定安裝有頂部安裝板，所述頂部安裝板上表面固定設置有固定塊，所述固定塊中部固定卡接有安裝螺母，所述固定塊位于安裝螺母一側固定插接有功率端子，所述功率端子位于外殼內部一端固定焊接有接線板；

所述外殼底部內壁通過螺絲釘固定安裝有DBC板，所述接線板底部利用超聲波鍵合有鋁線，所述接線板通過鋁線與DBC板電性連接，所述鋁線與DBC板之間利用超聲波鍵合在一起；所述外殼一端上表面固定插接有金屬觸片，所述金屬觸片位于外殼內部一端通過鋁線與DBC板電性連接。

進一步的，所述功率端子位于外殼外部一端中心開設有與安裝螺母相配合的孔。

進一步的，所述金屬片與DBC板之間通過超聲波鍵合技術進行連接。

進一步的，所述外殼兩端中部分別開設有螺釘槽，所述螺釘槽內部固定卡接有固定螺母。

進一步的，所述金屬觸片表面均勻電鍍有鎳。

與現有技術相比，本實用新型的有益效果是：

利用超聲波鍵合技術將模塊功率端子與DBC之間通過多根鋁線進行電性連接，同時去除傳統的“S”型結構，不會使焊點產生疲勞，能夠降低功率端子的電感，因此能夠增加模塊的可靠性。

附圖說明

圖1為本實用新型俯視結構示意圖；

圖2為本實用新型主視結構示意圖；

圖3為本實用新型主視剖面結構示意圖。

圖1-3中：1-固定螺母；2-功率端子；3-外殼；4-螺釘槽；5-固定塊；6-頂部安裝板；7-金屬觸片；8-安裝螺母；9-接線板；10-鋁線；11-DBC板。

具體實施方式