[實(shí)用新型]一種具有高維持電壓的LDMOS結(jié)構(gòu)的ESD保護(hù)器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821494772.5
• 申請日: 2018-09-13
• 公開（公告）號: CN208637423U
• 公開（公告）日: 2019-03-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蔡小五;趙發(fā)展;淮永進(jìn);杜寰;黃啟俊;周祥兵
• 申請（專利權(quán)）人: 揚(yáng)州江新電子有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 南京蘇科專利代理有限責(zé)任公司 32102
• 代理人: 韓素娟

1.一種具有高維持電壓的LDMOS結(jié)構(gòu)的ESD保護(hù)器件，包括P型襯底，其特征在于：所述P型襯底上層設(shè)有深N阱，所述深N阱上層從一側(cè)到另一側(cè)依次設(shè)有第一N阱、第一P阱、第二N阱和第二P阱，所述第一N阱上層設(shè)有P+注入?yún)^(qū)，所述第一P阱上層設(shè)有淺槽隔離區(qū)，所述第二P阱上層設(shè)有N+注入?yún)^(qū)，所述P+注入?yún)^(qū)引出有陽極，所述N+注入?yún)^(qū)引出有陰極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高維持電壓的LDMOS結(jié)構(gòu)的ESD保護(hù)器件，其特征在于：所述第一N阱的長度大于所述第一P阱、第二N阱和/或第二P阱的長度。