[實(shí)用新型]高壓器件與半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821489505.9
• 申請日: 2018-09-12
• 公開（公告）號: CN208655658U
• 公開（公告）日: 2019-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許文山;孫超;田武
• 申請（專利權(quán)）人: 長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L29/08
• 分類號: H01L29/08;H01L27/11529;H01L27/11551;H01L27/11573;H01L27/11578
• 代理公司: 北京成創(chuàng)同維知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;張靖琳

本申請公開了一種高壓器件與半導(dǎo)體器件，該高壓器件半導(dǎo)體襯底；氧化層；柵極，位于氧化層上；以及源區(qū)與漏區(qū)，位于半導(dǎo)體襯底中，并分別位于柵極兩側(cè)，其中，漏區(qū)的摻雜深度由漏區(qū)的中心向邊緣遞減。通過摻雜深度由中心向邊緣遞減的漏區(qū)，減小了漏區(qū)邊緣的電場，從而提高了器件的耐高電壓性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種高壓器件與半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)密度的提高與半導(dǎo)體制造工藝的進(jìn)步密切相關(guān)。隨著半導(dǎo)體制造工藝的特征尺寸越來越小，存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)密度越來越高。為了進(jìn)一步提高存儲(chǔ)密度，已經(jīng)開發(fā)出三維結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器件(即，3D存儲(chǔ)器件)。3D存儲(chǔ)器件包括沿著垂直方向堆疊的多個(gè)存儲(chǔ)單元，在單位面積的晶片上可以成倍地提高集成度，并且可以降低成本。

現(xiàn)有的3D存儲(chǔ)器件主要用作非易失性的閃存。兩種主要的非易失性閃存技術(shù)分別采用NAND和NOR結(jié)構(gòu)。與NOR存儲(chǔ)器件相比，NAND存儲(chǔ)器件中的讀取速度稍慢，但寫入速度快，擦除操作簡單，并且可以實(shí)現(xiàn)更小的存儲(chǔ)單元，從而達(dá)到更高的存儲(chǔ)密度。因此，采用NAND結(jié)構(gòu)的3D存儲(chǔ)器件獲得了廣泛的應(yīng)用。

外圍電路作為3D存儲(chǔ)器件的核心部件之一，其主要用于邏輯運(yùn)算以及通過金屬連線控制和檢測三維存儲(chǔ)單元中各存儲(chǔ)子單元的開關(guān)狀態(tài)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)和讀取。而隨著3D存儲(chǔ)單元堆疊層數(shù)的增加，對外圍電路的耐高電壓要求越來越高。

鑒于上述問題，目前迫切需要提供一種耐高電壓性能好的半導(dǎo)體器件。

實(shí)用新型內(nèi)容

鑒于上述問題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種高壓器件與半導(dǎo)體器件，通過摻雜深度由中心向邊緣遞減的漏區(qū)，減小了漏區(qū)邊緣的電場，從而提高了器件的耐高電壓性能。

根據(jù)本實(shí)用新型的一方面，提供了一種高壓器件，包括：半導(dǎo)體襯底；氧化層；柵極，位于所述氧化層上；以及源區(qū)與漏區(qū)，位于所述半導(dǎo)體襯底中，并分別位于所述柵極兩側(cè)，其中，所述漏區(qū)的摻雜深度由所述漏區(qū)的中心向邊緣遞減。

優(yōu)選地，還包括第一開口，位于所述氧化層中，至少部分所述漏區(qū)通過所述第一開口暴露。

優(yōu)選地，所述源區(qū)的摻雜深度由所述源區(qū)的中心向邊緣遞減。

優(yōu)選地，還包括第二開口，位于所述氧化層中，至少部分所述源區(qū)通過所述第二開口暴露。

優(yōu)選地，還包括第一摻雜區(qū)，位于所述半導(dǎo)體襯底中，所述漏區(qū)位于所述第一摻雜區(qū)內(nèi)，其中，所述第一摻雜區(qū)的濃度小于所述漏區(qū)的摻雜濃度。

優(yōu)選地，所述第一摻雜區(qū)包括第一部分以及被所述第一開口暴露的第二部分，所述第一部分位于所述第二部分的外圍，所述第二部分的摻雜深度大于所述第一部分的摻雜深度且所述第二部分的摻雜深度由所述第二部分的中心向邊緣遞減。

優(yōu)選地，還包括第二摻雜區(qū)，所述第二摻雜區(qū)位于所述第一摻雜區(qū)內(nèi)，所述漏區(qū)位于所述第二摻雜區(qū)內(nèi)，其中，所述第二摻雜區(qū)的摻雜濃度大于所述第一摻雜區(qū)的濃度，并且小于所述漏區(qū)的摻雜濃度。

優(yōu)選地，所述第一開口的側(cè)壁為傾斜側(cè)壁。

優(yōu)選地，所述第一開口的側(cè)壁為垂直側(cè)壁。

根據(jù)本實(shí)用新型的另一方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：半導(dǎo)體襯底；高壓阱區(qū)，位于所述半導(dǎo)體襯底中；如上所述的高壓器件，位于所述高壓阱區(qū)處；低壓阱區(qū)，位于所述半導(dǎo)體襯底中；以及低壓器件，位于所述低壓阱區(qū)處。

根據(jù)本實(shí)用新型提供的高壓器件與半導(dǎo)體器件，通過摻雜深度由中心向邊緣遞減的漏區(qū)，減小了漏區(qū)邊緣的電場，從而提高了器件的耐高電壓性能。