[實(shí)用新型]P型PERC電池結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821488341.8
• 申請(qǐng)日: 2018-09-12
• 公開（公告）號(hào): CN208797020U
• 公開（公告）日: 2019-04-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王圣;徐碩賢;金佳源;宋劍;董超;袁占強(qiáng);陳景;張雙玉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇林洋光伏科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/068
• 分類號(hào): H01L31/068;H01L31/0216
• 代理公司: 南京天華專利代理有限責(zé)任公司 32218
• 代理人: 劉暢;夏平

本實(shí)用新型公開了一種P型PERC電池結(jié)構(gòu)，包括硅片層(1)以及依次設(shè)于硅片層(1)正面的氧化硅層(2)、氮化硅層(3)和正電極(4)，其特征在于所述硅片層(1)的背面依次設(shè)有背氧化鋁層(5)、第一背氧化硅層(6)、背氮化硅層(7)、第二背氧化硅層(8)和背電極(9)；通孔(10)貫穿第二背氧化硅層(8)、背氮化硅層(7)、第一背氧化硅層(6)和背氧化鋁層(5)并延伸至硅片層(1)中；通孔(10)中填充背電極(9)。第一背氧化硅層SiOx、背氮化硅層SiNx和第二背氧化硅層SiOx組成ONO疊層膜，ONO的氮化硅層居SiNx中可阻擋缺陷延展，三層膜互補(bǔ)，降低背表面復(fù)合速率。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型主要涉及太陽能電池行業(yè)，主要是P型PERC電池。

背景技術(shù)

P型PERC工藝越加成熟，傳統(tǒng)工藝路線為制絨、P擴(kuò)散、刻蝕、退火、PECVD背氧化鋁、背氮化硅鍍膜、PECVD正氮化硅鍍膜、激光、二次印刷、燒結(jié)成型，傳統(tǒng)PERC電池的膜層結(jié)構(gòu)如圖1所示，量產(chǎn)效率可達(dá)到21.5％，市場(chǎng)需求更加高效電池。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型為提供一種高效電池以滿足市場(chǎng)需求，提出了一種改進(jìn)的P型PERC電池結(jié)構(gòu)。

技術(shù)方案：

一種P型PERC電池結(jié)構(gòu)，包括硅片層以及依次設(shè)于硅片層正面的氧化硅層、氮化硅層和正電極，所述硅片層的背面依次設(shè)有背氧化鋁層、第一背氧化硅層、背氮化硅層、第二背氧化硅層和背電極；通孔貫穿第二背氧化硅層、背氮化硅層、第一背氧化硅層和背氧化鋁層并延伸至硅片層中；通孔中填充背電極。

具體的，所述背氧化鋁層的厚度為6nm。

具體的，所述第一背氧化硅層的厚度為10nm。

具體的，所述背氮化硅層的厚度為40nm。

具體的，所述第二背氧化硅層的厚度為20nm。

具體的，所述通孔的直徑為28um。

所述第二背氧化硅層是經(jīng)過H鈍化后的SiOx膜。

本實(shí)用新型的有益效果

第一背氧化硅層SiOx、背氮化硅層SiNx和第二背氧化硅層SiOx組成ONO疊層膜，具備以下效果：

-ONO氮化硅層居SiNx中可阻擋缺陷延展，三層膜互補(bǔ)，降低背表面復(fù)合速率。

-ONO底層SiOx膜進(jìn)一步H鈍化，同時(shí)阻隔AlOx層中的H往外釋放，增加背表面鈍化效果。

-氧化鋁層AlOx鍍膜后，覆蓋第一背氧化硅層SiOx，背面固定負(fù)電荷量增加，提高場(chǎng)鈍化效果。

附圖說明

圖1為背景技術(shù)中傳統(tǒng)膜層結(jié)構(gòu)圖。

圖2為本實(shí)用新型的膜層結(jié)構(gòu)圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍不限于此：

結(jié)合圖2一種P型PERC電池結(jié)構(gòu)，包括硅片層1以及依次設(shè)于硅片層1正面的氧化硅層SiOx2、氮化硅層SiNx3和正電極Ag4，所述硅片層1的背面依次設(shè)有背氧化鋁層AlOx5、第一背氧化硅層SiOx6、背氮化硅層SiNx7、第二背氧化硅層SiOx8和背電極Al BSF9；通孔10貫穿第二背氧化硅層SiOx8、背氮化硅層SiNx7、第一背氧化硅層SiOx6和背氧化鋁層AlOx5并延伸至硅片層1中；通孔10中填充背電極Al BSF9。背氧化鋁層AlOx5的厚度為6nm。第一背氧化硅層SiOx6的厚度為10nm。背氮化硅層SiNx7的厚度為40nm。第二背氧化硅層SiOx8的厚度為20nm。通孔10的直徑為28um。第二背氧化硅層SiOx8是經(jīng)過H鈍化后的SiOx膜。