[實用新型]DALI接口切相偵測電路

有效

• 申請號: 201821484252.6
• 申請日: 2018-09-11
• 公開（公告）號: CN209299561U
• 公開（公告）日: 2019-08-23
• 發明（設計）人: 吳群民;王炳生;高威
• 申請（專利權）人: 廈門陽光恩耐照明有限公司;廈門恩耐照明技術有限公司;浙江陽光照明電器集團股份有限公司
• 主分類號: H05B33/08
• 分類號: H05B33/08
• 代理公司: 廈門市首創君合專利事務所有限公司 35204
• 代理人: 楊依展;張迪

1.一種DALI接口切相偵測電路，其特征在于包括信號發送模塊、恒流模塊、信號調整模塊、信號接收模塊、交流電電源、相位偵測模塊及開關模塊；所述恒流模塊連接所述信號發送模塊并發送電信號至所述信號發送模塊；所述信號調整模塊包括一信號控制器，反饋信號通過信號控制器到達所述恒流模塊并控制所述恒流模塊發送電信號，所述信號控制器按照預定頻率控制反饋信號到達所述恒流模塊的時間，使所述恒流模塊發送的電信號波形邏輯高電平時間滿足預定值；所述信號接收模塊連接所述信號發送模塊并發送與電信號波形相同的反饋信號至所述信號調整模塊；所述相位偵測模塊連接于所述交流電電源的負極與開關模塊之間，所述開關模塊連接于所述相位偵測模塊與所述信號發送模塊之間；當所述相位偵測模塊偵測到一定電壓時，所述開關模塊開啟，所述信號發送模塊發送或不發送信號。

2.根據權利要求1所述的DALI接口切相偵測電路，其特征在于，所述相位偵測模塊具體為一可控硅電路，所述開關模塊具體為一開關管，所述信號發送模塊包括接收接口及發送接口；當所述可控硅電路偵測到一定電壓時，所述開關管導通，所述接收接口信號被拉低，所述發送接口不發送信號。

3.根據權利要求2所述的DALI接口切相偵測電路，其特征在于，所述可控硅電路包括一可控硅三極管、第一偵測電阻、第二偵測電阻、偵測電容；所述可控硅三極管包括陽極、陰極、控制極；所述陽極連接所述交流電電源，所述第一偵測電阻連接于所述陽極與控制極之間，所述第二偵測電阻連接于所述陰極與控制極之間；所述偵測電容連接于所述第二偵測電阻的兩端；所述開關管連接所述陰極；當所述控制極的電壓達到一定電壓值，所述陽極與陰極導通，所述開關管接收高電平導通。

4.根據權利要求1所述的DALI接口切相偵測電路，其特征在于，還包括第一延遲裝置與一第二延遲裝置；所述信號控制器包括一第一開關與一第二開關；所述第一延遲裝置連接于所述信號接收模塊與所述第一開關之間，所述第二延遲裝置連接于所述信號接收模塊與所述第二開關之間；所述第一延遲裝置與第二延遲裝置在反饋信號進入所述第一開關及第二開關之前接收反饋信號，延遲反饋信號進入所述信號控制器的時間。

5.根據權利要求4所述的DALI接口切相偵測電路，其特征在于，所述第一開關具體為一第一三極管Q104，所述第二開關具體為一NMOS管Q103；所述NMOS管Q103的柵極連接所述信號接收模塊與所述第二延遲裝置，所述NMOS管Q103的漏極連接所述恒流模塊，所述NMOS管Q103的源極接地；所述第一三極管Q104的基極連接所述第一延遲裝置和所述信號接收模塊，所述第一三極管Q104的發射極連接于信號接收模塊與所述NMOS管Q103的柵極之間，所述第一三極管Q104的集電極接地。

6.根據權利要求5所述的DALI接口切相偵測電路，其特征在于，所述信號接收模塊發送反饋信號，當反饋信號為高電平信號時，所述第一三極管Q104的基極接收高電平信號不導通，所述NMOS管Q103的柵極接收高電平信號導通并發送高電平信號至所述恒流模塊；當反饋信號為低電平信號時，所述第一三極管Q104的基極接收低電平信號導通，使所述NMOS管Q103的柵極電平被拉低，所述NMOS管Q103不導通。

7.根據權利要求6所述的DALI接口切相偵測電路，其特征在于，所述第一延遲裝置、所述第二延遲裝置分別為一第一電容C105及一第二電容C110；反饋信號為高電平信號時，高電平信號進入所述第一三極管Q104之前，先對所述第一電容C105充電，所述第一電容C105充滿后，高電平信號通過所述第一三極管Q104，所述第一三極管Q104不導通；同時，高電平信號進入所述NMOS管Q103之間，先對所述第二電容C110充電，所述第二電容C110充滿后，高電平信號進入所述NMOS管Q103；

反饋信號為低電平信號時，所述第一電容C105放電，所述第一三極管Q104接收高電平信號不導通，當所述第一電容C105放電結束，所述第一三極管Q104不接收高電平信號即導通；同時，所述第二電容C110放電，所述NMOS管Q103接收高電平信號繼續導通，當所述第二電容C110放電結束，所述NMOS管Q103不接收高電平信號。