[實用新型]一種SiC功率器件終端

有效

• 申請號: 201821482781.2
• 申請日: 2018-09-11
• 公開（公告）號: CN208706654U
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發明（設計）人: 朱袁正;葉鵬;楊卓;華凌飛
• 申請（專利權）人: 無錫新潔能股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104
• 代理人: 曹祖良;陳麗麗

1.一種SiC功率器件終端，其特征在于，所述SiC功率器件終端包括：自下而上依次設置的陰極金屬層（1）、第一導電類型襯底層（2）和第一導電類型外延層（3），所述第一導電類型外延層（3）上設置有多個間隔分立的第二導電類型場限環（5），所述第一導電類型外延層（3）上設置有多個間隔分立的第二導電類型阱區（4），所述第二導電類型阱區（4）與所述第二導電類型場限環（5）交替設置，所述第二導電類型阱區（4）和所述第二導電類型場限環（5）上設置鈍化層（7）。

2.根據權利要求1所述的SiC功率器件終端，其特征在于，所述第二導電類型阱區（4）的深度大于所述第二導電類型場限環（5）的深度。

3.根據權利要求1所述的SiC功率器件終端，其特征在于，所述第二導電類型阱區（4）的雜質濃度低于所述第二導電類型場限環（5）的雜質濃度。

4.根據權利要求1所述的SiC功率器件終端，其特征在于，所述第二導電類型阱區（4）與所述第二導電類型場限環（5）重疊部分區域設置。

5.根據權利要求1所述的SiC功率器件終端，其特征在于，所述第二導電類型阱區（4）與所述第二導電類型場限環（5）分離且相鄰設置。

6.根據權利要求1至5中任意一項所述的SiC功率器件終端，其特征在于，所述第一導電類型外延層（3）的上表面設置氧化保護層（6）。

7.根據權利要求1至5中任意一項所述的SiC功率器件終端，其特征在于，SiC功率器件包括N型SiC功率器件和P型SiC功率器件，當所述SiC功率器件為N型功率器件時，所述第一導電類型為N型，所述第二導電類型為P型，當所述SiC功率器件為P型SiC功率器件時，所述第一導電類型為P型，所述第二導電類型為N型。