[實(shí)用新型]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821481556.7
• 申請(qǐng)日: 2018-09-11
• 公開（公告）號(hào): CN208781855U
• 公開（公告）日: 2019-04-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王楚玉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L27/105
• 代理公司: 北京律智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438
• 代理人: 董天寶;于寶慶

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的襯底，所述襯底表面具有多個(gè)溝槽；

P型阱區(qū)，形成于所述襯底的底部；

多個(gè)柵極組件，形成于所述多個(gè)溝槽內(nèi)，每個(gè)柵極組件的一側(cè)為源區(qū)，另一側(cè)為漏區(qū)；

第一離子植入層和第二離子植入層，形成于所述源區(qū)和漏區(qū)，所述第二離子植入層位于所述第一離子植入層的下方；及

第一擴(kuò)散阻擋層和第二擴(kuò)散阻擋層，所述第一擴(kuò)散阻擋層位于所述第一離子植入層和第二離子植入層之間，所述第二擴(kuò)散阻擋層位于所述第二離子植入層的下方。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一擴(kuò)散阻擋層的注入深度為5～20nm，所述第二擴(kuò)散阻擋層的注入深度為20～60nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一離子植入層和所述第二離子植入層均摻雜N型雜質(zhì)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一離子植入層為摻雜砷的離子植入層，所述第二離子植入層為摻雜磷的離子植入層，所述第一擴(kuò)散阻擋層為摻雜氮的離子植入層，所述第二擴(kuò)散阻擋層為摻雜氟的離子植入層，所述P型阱區(qū)摻雜硼。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一擴(kuò)散阻擋層的摻雜劑量為1.0E15～9.0E15ion/cm²，所述第二擴(kuò)散阻擋層摻雜劑量為1.0E14～9.0E14ion/cm²。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一離子植入層的摻雜劑量為1.0E14～9.0E15ion/cm²，所述第二離子植入層的摻雜劑量為1.0E14～9.0E15ion/cm²。

7.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，包括權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

第一氧化層，覆蓋于所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)和所述柵極組件上；

接觸層，分別位于所述源區(qū)和漏區(qū)上；

第一玻璃層，位于所述第一氧化層上并具有多個(gè)開口，所述多個(gè)開口暴露所述接觸層；

導(dǎo)電層，位于所述接觸層上并填充所述多個(gè)開口，所述源區(qū)上的導(dǎo)電層露出所述多個(gè)開口用以與電容器相連，所述漏區(qū)上的導(dǎo)電層形成位線，并與所述第一玻璃層齊平；

支撐層，位于所述第一玻璃層上，以支撐所述源區(qū)上的導(dǎo)電層；

第二玻璃層，位于所述支撐層上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其特征在于，所述接觸層為多晶硅層。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其特征在于，所述第一氧化層、第一玻璃層和第二玻璃層的材料選自氧化硅、磷硅玻璃和硼磷硅玻璃中的一種或多種。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其特征在于，所述導(dǎo)電層為金屬鎢層。