[實用新型]IGBT驅動電路

有效

• 申請號: 201821480149.4
• 申請日: 2018-09-11
• 公開（公告）號: CN209001919U
• 公開（公告）日: 2019-06-18
• 發明（設計）人: 姚超;楊力俊
• 申請（專利權）人: 浙江艾羅網絡能源技術有限公司
• 主分類號: H03K17/567
• 分類號: H03K17/567;H03K17/687
• 代理公司: 杭州華鼎知識產權代理事務所(普通合伙) 33217
• 代理人: 項軍

本實用新型涉及電子技術領域，尤其涉及IGBT驅動電路，包括:與IGBT的柵極連接的驅動電路、以及連接在IGBT的柵極、發射極之間的消隱電路；所述消隱電路包括第一電容、第一電阻、MOS管、第一二極管，所述第一電容的一端連接驅動電路以及IGBT的柵極，另一端連接MOS管的柵極，所述第一電阻的一端連接MOS管的柵極，另一端連接MOS管的源極，所述MOS管的源極連接IGBT的發射極，MOS管的漏極連接第一二極管的負極，所述第一二極管的正極連接IGBT的柵極。本實用新型可以實現以下效果：通過增加消隱電路消除由于電路和器件寄生電容電感引起的驅動波形上升沿IGBT GE之間的震蕩，減小對IGBT驅動電壓的沖擊和EMC的影響。

技術領域

本實用新型涉及電子技術領域，尤其涉及IGBT驅動電路。

背景技術

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。

現有的IGBT，由于PCB布局與IGBT本身工藝封裝的影響，有寄生參數存在，如圖1中所示的寄生電容C9，C10，C11，寄生電感L3。這些寄生參數，在高頻信號下，會使驅動信號產生震蕩，影響IGBT性能和電磁兼容性EMC(ElectroMagneticCompatibility)，從而危害IGBT的安全乃至整個系統的穩定，對于EMC也會產生很大影響。

實用新型內容

為解決上述問題，本實用新型提出IGBT驅動電路，增加消隱電路以吸收G極驅動電壓在上升過程的產生電壓震蕩。

IGBT驅動電路，包括:與IGBT的柵極連接的驅動電路、以及連接在IGBT的柵極、發射極之間的消隱電路；

所述消隱電路包括第一電容、第一電阻、MOS管、第一二極管，所述第一電容的一端連接驅動電路以及IGBT的柵極，另一端連接MOS管的柵極，所述第一電阻的一端連接MOS管的柵極，另一端連接MOS管的源極，所述MOS管的源極連接IGBT的發射極，MOS管的漏極連接第一二極管的負極，所述第一二極管的正極連接IGBT的柵極。

優選的，所述驅動電路包括第二電阻、第三電阻以及第二二極管，所述第二二極管的負極連接PWM信號輸入端，負極連接第二電阻的一端，所述第二電阻的另一端連接第三電阻的一端，所述第三電阻的另一端連接PWM信號輸入端。

優選的，所述驅動電路還包括第四電阻，所述第四電阻的一端連接IGBT的柵極，另一端連接IGBT的發射極。

優選的，所述驅動電路還包括第五電阻，所述第五電阻的一端連接IGBT的集電極，另一端連接電源端。

本實用新型可以實現以下效果：通過增加消隱電路消除由于電路和器件寄生電容電感引起的驅動波形上升沿IGBT GE之間的震蕩，減小對IGBT驅動電壓的沖擊和EMC的影響。

附圖說明

下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型作進一步詳細的說明。

圖1是本實用新型背景技術中的IGBT的電路原理圖；

圖2是本實用新型實施例的電路原理圖；

圖3為未加消隱電路的IGBT仿真結果圖；

圖4為加消隱電路的IGBT仿真結果圖；

圖5為加消隱電路的MOS管仿真結果圖。

具體實施方式

以下結合附圖，對本實用新型的技術方案作進一步的描述，但本實用新型并不限于這些實施例。