[實用新型]一種氧化型垂直腔面激光器有效
| 申請號： | 201821479837.9 | 申請日： | 2018-09-11 |
| 公開（公告）號： | CN208723310U | 公開（公告）日： | 2019-04-09 |
| 發明（設計）人： | 姜勛財;湯寶;朱拓;余兵;吳振華 | 申請（專利權）人： | 武漢電信器件有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/183 | 分類號： | H01S5/183;H01S5/187 |
| 代理公司： | 武漢科皓知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 胡琦旖 |
| 地址： | 430074 湖*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 垂直腔面激光器 本實用新型 豁口 臺面 氧化孔 氧化型 絕緣層 光電子技術領域 氧化限制層 技術效果 中心區域 襯底 源區 柱狀 環繞 節約 | ||
【權利要求書】：
1.一種氧化型垂直腔面激光器，其特征在于，從下至上依次包括：N面電極、襯底、N型DBR、有源區、氧化限制層、P型DBR、P面電極；
所述P型DBR為柱狀臺面，所述臺面的中心設有氧化孔，所述臺面包含有豁口，多個所述豁口環繞所述氧化孔均勻分布。
2.根據權利要求1所述的氧化型垂直腔面激光器，其特征在于，氧化深度為所述豁口的頂點到所述氧化孔的距離，所述氧化深度小于所述臺面的半徑。
3.根據權利要求1所述的氧化型垂直腔面激光器，其特征在于，所述豁口對所述P面電極進行均勻分割。
4.根據權利要求1所述的氧化型垂直腔面激光器，其特征在于，除去所述氧化孔的所述臺面的區域大于所述P面電極的區域。
5.根據權利要求2所述的氧化型垂直腔面激光器，其特征在于，所述豁口的弧邊為標準圓弧。
6.根據權利要求5所述的氧化型垂直腔面激光器，其特征在于，所述臺面的半徑為14um，所述氧化孔的半徑為8um，所述氧化深度為2um，所述豁口的半徑為4um，所述豁口的數量為9個，多個所述豁口之間的距離為1.75um。
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