[實用新型]一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201821472470.8 | 申請日: | 2018-09-07 |
| 公開(公告)號: | CN208622728U | 公開(公告)日: | 2019-03-19 |
| 發明(設計)人: | 龍春平 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09G3/3208 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 襯底基板 陣列基板 驅動晶體管 顯示面板 顯示裝置 像素單元 本實用新型 遮光層 正投影 多個陣列 同一像素 圖像顯示 覆蓋 源層 | ||
本實用新型實施例公開了一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置,涉及顯示技術領域,用于提高陣列基板的使用可靠性。該陣列基板包括襯底基板以及多個陣列設置在襯底基板的像素單元;每個所述像素單元包括OLED發光層以及至少一個設置在OLED發光層和襯底基板之間的驅動晶體管;每個像素單元還包括設置在OLED發光層和驅動晶體管之間的遮光層,遮光層在襯底基板的正投影覆蓋或部分覆蓋同一像素單元中驅動晶體管的有源層在襯底基板的正投影。本實用新型實施例提供的陣列基板、顯示面板及顯示裝置用于圖像顯示。
技術領域
本實用新型涉及顯示技術領域,尤其涉及一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置。
背景技術
有機發光二極管(Organic Light Emitting Diode,簡稱為OLED),特別是有源矩陣有機發光二極管(Active-matrix Organic Light Emitting Diode,簡稱為AMOLED),因具有高亮度、全視角、響應速度快以及可柔性顯示等優點,已在顯示領域得到廣泛應用。
目前,在AMOLED顯示面板中,其陣列基板的顯示區通常呈陣列狀設置有多個像素單元,每個像素單元均包括OLED以及與OLED相連的像素驅動電路;各像素驅動電路中的驅動晶體管用于向對應的OLED提供驅動電流,以使OLED發光。然而,驅動晶體管的有源層容易因環境光或OLED出射光的散射而影響其導電性能,使得驅動晶體管的導電特性惡化,比如出現閾值電壓漂移或漏電流增大等不良導電現象,從而導致驅動晶體管所在的陣列基板難以可靠使用。
實用新型內容
本實用新型實施例的目的在于提供一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置,用于提高陣列基板的使用可靠性。
為達到上述目的,本實用新型實施例提供了如下技術方案:
本實用新型實施例的第一方面提供了一種陣列基板,該陣列基板包括襯底基板以及多個陣列設置在襯底基板的像素單元;每個所述像素單元包括OLED發光層以及至少一個設置在OLED發光層和襯底基板之間的驅動晶體管;每個所述像素單元還包括設置在OLED發光層和驅動晶體管之間的遮光層,該遮光層在襯底基板的正投影覆蓋或部分覆蓋同一像素單元中驅動晶體管的有源層在襯底基板的正投影。
本實用新型實施例提供的陣列基板,在OLED發光層和對應的驅動晶體管之間設置遮光層,并使得該遮光層在襯底基板上的正投影覆蓋或部分覆蓋同一像素單元中驅動晶體管的有源層在襯底基板的正投影,可以利用該遮光層對同一像素單元中驅動晶體管的有源層進行光線遮擋,以避免環境光或OLED發光層的出射光散射至驅動晶體管的有源層,確保驅動晶體管的有源層不會因光照而影響其導電性能,即不會因光照而產生漏電流,造成驅動晶體管閾值電壓偏移等不良導電現象,有利于提高驅動晶體管的導電穩定性,進而提高陣列基板的使用可靠性。
可選的,上述OLED發光層面向驅動晶體管的一側設有OLED陽極;上述至少一個像素單元中的遮光層,包括:與OLED陽極同層設置且與OLED陽極相連的遮光電極層。
進一步的,遮光電極層與OLED陽極一體設置。
可選的,上述驅動晶體管包括有源層以及分別設置在有源層背向襯底基板的一側的源極和漏極;上述至少一個像素單元中的遮光層,包括:與源極或漏極分層、且設置在源極或漏極面向OLED發光層的一側的遮光金屬層。
進一步的,上述至少一個像素單元中的遮光層,還包括:與OLED陽極同層設置且與OLED陽極相連的遮光電極層;遮光金屬層在襯底基板的正投影與遮光電極層在襯底基板的正投影相接或部分重疊。
進一步的,上述陣列基板還包括電源信號線;上述遮光金屬層與電源信號線同層設置且與電源信號線相連。
可選的,每個像素單元還包括至少一個與上述驅動晶體管串聯的開關晶體管;上述遮光金屬層與開關晶體管的源極及漏極之間設有鈍化層,遮光金屬層通過設置在鈍化層的過孔與至少一個開關晶體管的源極或漏極相連。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





