[實用新型]一種適用于單晶硅拋光片目檢的暗室

有效

• 申請號: 201821468651.3
• 申請日: 2018-09-10
• 公開（公告）號: CN209182221U
• 公開（公告）日: 2019-07-30
• 發明（設計）人: 熊誠雷;吳躍峰
• 申請（專利權）人: 麥斯克電子材料有限公司
• 主分類號: G01N21/01
• 分類號: G01N21/01;G01N21/88
• 代理公司: 洛陽公信知識產權事務所(普通合伙) 41120
• 代理人: 逯雪峰

本實用新型提供了一種適用于單晶硅拋光片目檢的暗室，包括室倉和除塵機構，室倉包括多個隔板和推拉門，隔板為沿豎直方向設置的矩形板，多個隔板合圍成上下開口的矩形筒體，隔板的上方還設有除塵機構；除塵機構包括風機過濾單元、化學過濾器和離子棒，化學過濾器設置于室倉的頂部開口處，風機過濾單元和離子棒還分別固定于化學過濾器的兩側，風機過濾單元設置于室倉的外部，離子棒設置于室倉的內部；化學過濾器包括盒體和設置于盒體內的活性炭，盒體的上下兩面還分別設有進風通孔和出風通孔，離子棒固定于出風通孔處。本實用新型保障了硅片不受到顆粒、AMC的污染，使目檢工作有效進行。

技術領域

本實用新型屬于硅拋光片的生產領域，具體涉及一種適用于單晶硅拋光片目檢的暗室。

背景技術

硅片在生產加工中硅片的正面需要通過二到三步從粗到細的化學機械拋光過程來實現表面的鏡面狀態，拋光面上用來生長芯片電路，所以要求表面不能存在微小的劃傷、凸起、微粒、沾污等缺陷。拋光硅片的表面潔凈度也是產品最為關鍵的質量參數之一，即使存在亞微米級別微量污染也會導致后續器件加工失效。硅片經過化學機械鏡面拋光后，表面會殘留拋光液、拋光蠟雜質顆粒，需要經過濕法清洗去除雜質顆粒，清洗后還需進行強光下的人工目視檢查，挑出微粒、沾污、劃道、亮點等缺陷。

被目檢的硅片裸露在環境中，如果環境空氣中存在灰塵，它會飄落在潔凈的硅片表面，造成硅片表面顆粒超標，因此對目檢環境要求極為苛刻，需要在環境顆粒受控的房間進行，這種房間稱為潔凈間。潔凈間的級別從一級到一萬級，級數對應的是單位體積空氣中含有的顆粒數目，通常目檢環境要求最高級別的一級潔凈度。

使用過濾器對空氣中的懸浮顆粒進行過濾可以達到凈化空氣的目的，但空氣快速通過過濾器時會因和濾網材料摩擦產生大量靜電，導致目檢工作臺面、目檢相關器具因靜電吸附顆粒，降低了目檢場所的潔凈度。

在空氣中除了懸浮的顆粒，還有以氣相和蒸汽形式存在的分子級污染物（Airborne Molecular Contaminants,AMC）,AMC的來源有汽車尾氣、霧霾、工廠排放的廢氣污染，硅片對其極其敏感，它和顆粒一樣也會危害硅片。但AMC的粒徑通常只有0.2~5nm，能順利穿透高效過濾器，現有的潔凈棚沒有考慮半導體行業的特殊性，只具有微米級顆粒過濾功能，所以不能對尺寸更小的納米級AMC進行攔截，往往造成硅片品質的下降。

目檢環境要求暗光背景，以提高人眼對硅片表面微小缺陷反光的敏感度，國標規定的硅片目檢背景光強范圍是50~650勒克斯，而現有的潔凈棚往往采用透明防靜電PVC簾做為潔凈棚和外界的隔離，周邊的大環境照明光源會穿透PVC簾進入潔凈棚，使背景光強超出規定的范圍，干擾了目檢人員的判斷，容易發生缺陷的漏檢。

實用新型內容

為解決上述問題，本實用新型提供了一種適用于單晶硅拋光片目檢的暗室，為目檢工作提供潔凈、防靜電、暗光的工作環境，保障了硅片不受到顆粒、AMC的污染，提高目檢人員對缺陷的敏感度，使目檢工作有效進行。

為了實現上述目的，本實用新型采用的技術方案為：

一種適用于單晶硅拋光片目檢的暗室，其特征在于：包括室倉和除塵機構，所述室倉包括多個隔板和推拉門，所述隔板為沿豎直方向設置的矩形板，多個隔板合圍成上下開口的矩形筒體，其中一個隔板上還預留供人進入暗室的入口，所述推拉門設置于暗室的入口處，所述隔板還接有多個支柱，支柱的一端連接于隔板下方的側邊，支柱的另一端放置于地面上，所述隔板與地面之間預留出風間隙，隔板的上方還設有除塵機構；所述除塵機構包括風機過濾單元、化學過濾器和離子棒，所述化學過濾器設置于室倉的頂部開口處，所述風機過濾單元和離子棒還分別固定于化學過濾器的兩側，所述的風機過濾單元設置于室倉的外部，所述的離子棒設置于室倉的內部；所述化學過濾器包括盒體和設置于盒體內的活性炭，所述盒體為矩形殼體，所述隔板垂直固定于盒體的底面，盒體的底面與室倉的頂面為密封連接，所述盒體的上下兩面還分別設有進風通孔和出風通孔，所述離子棒固定于所述出風通孔處。