[實用新型]一種MOCVD設備的冷卻裝置

有效

• 申請號: 201821468148.8
• 申請日: 2018-09-10
• 公開（公告）號: CN208857362U
• 公開（公告）日: 2019-05-14
• 發明（設計）人: 董金礦;黃文賓;汪玉;周宏敏;史志結;林兓兓;蔡吉明
• 申請（專利權）人: 安徽三安光電有限公司
• 主分類號: C23C16/56
• 分類號: C23C16/56;C23C16/44
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型屬于半導體設備領域，尤其涉及一種MOCVD設備的冷卻裝置，其至少包括放置石墨盤的底座，所述底座邊緣凸起形成支撐架，其特征在于：所述底座上表面具有復數個間隔排列的支撐柱，所述支撐架和支撐柱用于承載石墨盤，所述支撐架內設置有貫通的冷卻氣體孔。本實用新型的冷卻裝置改變傳統的單一水冷冷卻方式，而采用支撐柱、冷卻氣體以及熱傳導結構對石墨盤上的晶片進行多種方式的快速冷卻，從而提高冷卻效率，提高LED的量產。

技術領域

本實用新型屬于半導體設備領域，尤其涉及一種MOCVD設備的冷卻裝置。

背景技術

金屬有機物化學氣相沉積是一種廣泛用于生長外延晶片的工藝，Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源，以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延沉積工藝；反應溫度一般500-1300℃，當晶片從反應室傳送出來時溫度仍然有300℃左右，如果不設計一種高效的晶片冷卻設備會制約設備的量產能力，而且冷卻效果的好壞直接影響工藝后晶片性能。

目前對晶片的冷卻裝置主要位于MOCVD設備中的LOAD-LOCK模塊中，其主要功能是對反應室中生長完成后的晶片進行冷卻，待溫度冷卻至合適的溫度后傳出設備，以中微公司生產的MOCVD機臺為例，冷卻的方式主要是水冷，在一定程度上實現了對晶片進行冷卻的目的，但是單一的水冷冷卻效率較低，無法實現對石墨盤上表面晶片的高效率冷卻，制約了設備的量產。

發明內容

為解決上述問題，本實用新型提供一種用于MOCVD設備的冷卻裝置，至少包括放置石墨盤的底座，所述底座邊緣凸起形成支撐架，其特征在于：所述底座上表面具有復數個間隔排列的支撐柱，所述支撐架和支撐柱用于承載石墨盤，所述支撐架內設置有貫通的冷卻氣體孔。

進一步地，所述支撐架內側具有放置石墨盤的臺階，所述支撐架的外側高于臺階；所述支撐柱與臺階高度一致，當放置石墨盤時，使所述石墨盤底面與底座之間形成密閉空間，冷卻氣體通過冷卻氣體孔進入密閉空間對石墨盤進行冷卻。

進一步地，所述支撐柱于底座表面均勻或者不均分布排列；所述支撐柱于底座表面呈由底座中心向邊緣放射狀分布排列。

進一步地，所述底座內設置有熱傳導結構；所述熱傳導結構的數量大于等于1；所述熱傳導結構圍繞底座中心呈“回”字型或者同心圓型；所述熱傳導結構為硬脂酸/氧化石墨烯結構、聚乙二醇/氧化石墨烯結構或石蠟/石墨烯結構。

進一步地，所述底座包括可拆卸的上底座和下底座，所述熱傳導結構位于上底座和下底座之間。

本實用新型的MOCVD設備的冷卻裝置改變傳統的單一水冷冷卻方式，而采用支撐柱、冷卻氣體以及熱傳導結構對石墨盤上的晶片進行多種方式的快速冷卻，從而提高冷卻效率，提高LED的量產。

附圖說明

圖1為本實用新型之冷卻裝置的側視結構示意圖；

圖2為本實用新型之冷卻裝置放置石墨盤時側視結構示意圖；

圖3為本實用新型之冷卻裝置結構俯視結構示意圖；

圖4為本實用新型之冷卻裝置的底座俯視結構示意圖。

具體實施方式

在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本實用新型。根據下面說明和權利要求書，本實用新型的優點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本實用新型實施例的目的。

參看附圖1和2，本實用新型的冷卻裝置主要用于冷卻MOCVD機臺腔室內生長結束后的石墨盤C及其上的晶片S，此時MOCVD法生長后的晶片S則放置于石墨盤C上。其至少包括放置石墨盤的底座10，底座10邊緣凸起形成承載石墨盤C的支撐架20，石墨盤C的邊緣則置于支撐架20上。