[實(shí)用新型]電磁場(chǎng)近場(chǎng)探頭

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821465485.1
• 申請(qǐng)日: 2018-09-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN208847777U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李松陽(yáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢藍(lán)星科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G01R1/067
• 分類號(hào): G01R1/067;G01R31/00
• 代理公司: 武漢藍(lán)寶石專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 42242
• 代理人: 廉海濤

本實(shí)用新型涉及一種電磁場(chǎng)近場(chǎng)探頭，其包括探頭本體和連接組件；探頭本體包括銅芯、第一屏蔽層、第二屏蔽層和隔直電容，第一屏蔽層和第二屏蔽層間隔設(shè)置并分別罩住銅芯的不同區(qū)段；第一屏蔽層所在的區(qū)段記為第一區(qū)段，第二屏蔽層所在的區(qū)段記為第二區(qū)段；隔直電容設(shè)于第二區(qū)段內(nèi)；連接組件包括第一金屬片和第二金屬片，第一金屬片設(shè)于第一區(qū)段上，第二金屬片設(shè)于第二區(qū)段上；第一金屬片連接屏蔽地，第二金屬片連接銅芯；電場(chǎng)測(cè)試模式下，第一金屬片和第二金屬片不連接；磁場(chǎng)測(cè)試模式下，第一金屬片和第二金屬片接觸形成閉合磁場(chǎng)探頭回路。該電磁場(chǎng)近場(chǎng)探頭為電場(chǎng)、磁場(chǎng)二合一探頭，集成度高，成本較低。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種電磁場(chǎng)近場(chǎng)探頭。

背景技術(shù)

近場(chǎng)探頭是用于配合頻譜分析儀查找干擾源的設(shè)備。常規(guī)的近場(chǎng)探頭分別有電場(chǎng)探頭、磁場(chǎng)探頭等，各近場(chǎng)探頭的功能單一，且價(jià)格昂貴。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題，提供一種用于檢測(cè)EMC(電磁兼容性)輻射是否超標(biāo)的電磁場(chǎng)近場(chǎng)探頭，既能夠進(jìn)行電場(chǎng)測(cè)試，又能夠進(jìn)行磁場(chǎng)測(cè)試，降低成本，提高集成度。

本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案如下：

一種電磁場(chǎng)近場(chǎng)探頭，包括探頭本體和連接組件；

所述探頭本體包括銅芯、第一屏蔽層、第二屏蔽層和隔直電容，所述第一屏蔽層和所述第二屏蔽層間隔設(shè)置并分別罩住所述銅芯的不同區(qū)段；所述探頭本體上所述第一屏蔽層所在的區(qū)段記為第一區(qū)段，所述第二屏蔽層所在的區(qū)段記為第二區(qū)段；所述隔直電容設(shè)于所述第二區(qū)段內(nèi)；

所述連接組件包括第一金屬片和第二金屬片，所述第一金屬片設(shè)于所述第一區(qū)段上，所述第二金屬片設(shè)于所述第二區(qū)段上；所述第一金屬片連接屏蔽地，所述第二金屬片連接所述銅芯，所述第一金屬片和所述第二金屬片之間的區(qū)段記為連接區(qū)段；

電場(chǎng)測(cè)試模式下，所述第一金屬片和所述第二金屬片不連接；

磁場(chǎng)測(cè)試模式下，彎折所述連接區(qū)段使所述第一金屬片和所述第二金屬片接觸形成閉合磁場(chǎng)探頭回路。

本實(shí)用新型的有益效果是：

上述電磁場(chǎng)近場(chǎng)探頭通過(guò)探頭本體和連接組件的配合設(shè)置，作為磁場(chǎng)近場(chǎng)探頭使用時(shí)，將第一金屬片和第二金屬片之間的連接區(qū)段彎折，使第一金屬片和第二金屬片接觸形成閉合磁場(chǎng)探頭回路；作為電場(chǎng)近場(chǎng)探頭使用時(shí)，不將第一金屬片和第二金屬片連接，斷開(kāi)閉合磁場(chǎng)探頭回路，從而整體上提供了一種檢測(cè)EMC輻射是否超標(biāo)的電場(chǎng)、磁場(chǎng)二合一探頭，集成度高，成本較低。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二金屬片通過(guò)銅芯線連接位于所述第一屏蔽層和所述第二屏蔽層之間的銅芯區(qū)段。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述的電磁場(chǎng)近場(chǎng)探頭還包括卡扣，所述卡扣設(shè)于所述第一區(qū)段上；磁場(chǎng)測(cè)試模式下，所述卡扣固定所述第一區(qū)段和所述第二區(qū)段以使所述第一金屬片和所述第二金屬片穩(wěn)固接觸。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一區(qū)段和所述第二區(qū)段整體上均呈柱體結(jié)構(gòu)。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一金屬片和所述第二金屬片均為銅片。

附圖說(shuō)明

圖1為一實(shí)施方式的電磁場(chǎng)近場(chǎng)探頭在電場(chǎng)測(cè)試狀態(tài)下的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1中的電磁場(chǎng)近場(chǎng)探頭在磁場(chǎng)測(cè)試狀態(tài)下的一視角的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為圖2中的電磁場(chǎng)近場(chǎng)探頭的另一視角的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為MLCC(Multi-layer Ceramic Capacitors，片式多層陶瓷電容器)電容的阻抗-頻率特性圖。

附圖中，各標(biāo)號(hào)所代表的部件列表如下：