[實用新型]相位移光罩有效
| 申請號: | 201821464430.9 | 申請日: | 2018-09-07 |
| 公開(公告)號: | CN208588895U | 公開(公告)日: | 2019-03-08 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/72 | 分類號: | G03F1/72;G03F1/26 |
| 代理公司: | 北京市鑄成律師事務所 11313 | 代理人: | 張臻賢;李夠生 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 相位移 缺陷區域 墊層 不透光層 圖案 光罩 線路圖案 本實用新型 透光基板 晶圓 破口 晶圓表面 曝光 位置處 覆蓋 線寬 鄰近 | ||
1.一種相位移光罩,其特征在于,包括:
透光基板;
相位移墊層圖案和相位移線路圖案,設置在所述透光基板上,所述相位移墊層圖案的長寬或直徑大于等于200nm,所述相位移線路圖案的線寬小于等于40nm,所述相位移墊層圖案具有缺陷區域,所述缺陷區域為所述相位移光罩曝光時導致晶圓的表面出現破口的區域,所述缺陷區域相對于所述相位移墊層圖案更分離于所述相位移線路圖案;以及
不透光層,設置在所述相位移墊層圖案中,所述不透光層的第二邊界位于所述缺陷區域的第一邊界和所述相位移墊層圖案的鄰近邊界之間,用于覆蓋所述缺陷區域。
2.如權利要求1所述的相位移光罩,其特征在于,所述相位移墊層圖案包括光穿透率介于20~30%且大于所述不透光層光穿透率的圖案層。
3.如權利要求1所述的相位移光罩,其特征在于,所述相位移墊層圖案和所述相位移線路圖案為開設在所述透光基板中的凹槽結構,或所述相位移墊層圖案和所述相位移線路圖案為一體設置在所述透光基板上的凸起結構。
4.如權利要求1所述的相位移光罩,其特征在于,所述不透光層的材料包含鉻。
5.如權利要求1所述的相位移光罩,其特征在于,所述不透光層包含光穿透率小于等于6%的氮氧化硅鉬層。
6.如權利要求1-5任一項所述的相位移光罩,其特征在于,所述不透光層為矩形或與所述缺陷區域外輪廓相同的形狀,所述缺陷區域的第一邊界至所述不透光層的第二邊界的距離介于5~10nm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于長鑫存儲技術有限公司,未經長鑫存儲技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201821464430.9/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





