[實用新型]熔斷器測試電路及集成電路有效
| 申請號： | 201821462811.3 | 申請日： | 2018-09-07 |
| 公開（公告）號： | CN209117825U | 公開（公告）日： | 2019-07-16 |
| 發明（設計）人： | 不公告發明人 | 申請（專利權）人： | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/327 | 分類號： | G01R31/327;G01R31/07 |
| 代理公司： | 北京律智知識產權代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁禮君;闞梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 熔斷器 閂鎖電路 熔斷 測試電路 信號接收端 觸發 集成電路 測試效率 觸發信號 電流增大 測試 | ||
1.一種熔斷器測試電路，其特征在于，包括：
熔斷器；
閂鎖電路，和所述熔斷器連接，所述閂鎖電路具有信號接收端，所述信號接收端用于接收觸發信號，使得所述閂鎖電路中的電流增大。
2.如權利要求1所述的熔斷器測試電路，其特征在于，所述閂鎖電路包括：
第一寄生晶體管，其第一發射極和第二發射極接收第一電源信號，集電極接收第二電源信號，基極接收第一觸發信號；
第二寄生晶體管，其集電極和所述第一寄生晶體管的基極連接，集電極接收第一電源信號，基極和所述第一寄生晶體管的集電極連接，基極接收第二觸發信號，第一發射極和第二發射極接收第二電源信號。
3.如權利要求2所述的熔斷器測試電路，其特征在于，所述熔斷器連接在所述第一寄生晶體管的第一發射極。
4.如權利要求2所述的熔斷器測試電路，其特征在于，所述熔斷器連接在所述第一寄生晶體管的第二發射極。
5.如權利要求2所述的熔斷器測試電路，其特征在于，所述熔斷器連接在所述第二寄生晶體管的第一發射極。
6.如權利要求2所述的熔斷器測試電路，其特征在于，所述熔斷器連接在所述第二寄生晶體管的第二發射極。
7.如權利要求1所述的熔斷器測試電路，其特征在于，所述閂鎖電路包括：
第三寄生晶體管，其發射極接收第一電源信號，集電極接收第二電源信號，基極接收第一觸發信號；
第四寄生晶體管，其集電極和所述第三寄生晶體管的基極連接，集電極接收第一電源信號，基極和所述第三寄生晶體管的集電極連接，基極接收第二觸發信號，發射極接收第二電源信號。
8.如權利要求7所述的熔斷器測試電路，其特征在于，所述熔斷器連接在所述第三寄生晶體管的發射極。
9.如權利要求7所述的熔斷器測試電路，其特征在于，所述熔斷器連接在所述第四寄生晶體管的發射極。
10.如權利要求1～9任一所述的熔斷器測試電路，其特征在于，所述熔斷器測試電路包括：
多個熔斷器，分別連接有閂鎖電路，所述熔斷器和與其連接的閂鎖電路形成檢測單元，所述檢測單元的一端連接有高電平，另一端連接有低電平，多個所述檢測單元并聯。
11.一種集成電路，其特征在于，包括如權利要求1～10任一項所述的熔斷器測試電路。
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