[實用新型]一種用于形成狹縫結構的溝槽結構有效
| 申請號： | 201821459082.6 | 申請日： | 2018-09-06 |
| 公開（公告）號： | CN209216945U | 公開（公告）日： | 2019-08-06 |
| 發明（設計）人： | 高瑋 | 申請（專利權）人： | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762;H01L29/423;H01L27/105 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 狹縫結構 間隔層 本實用新型 刻蝕 分子結構 溝槽側壁 溝槽結構 覆蓋 蝕刻 光刻膠層 寬度縮小 有效控制 深寬比 改性 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于形成狹縫結構的溝槽結構，其特征在于，所述溝槽結構包括：
襯底，所述襯底上具有光刻膠層；
多個第一溝槽，所述第一溝槽形成在所述光刻膠層中，并且暴露所述襯底；
多個第二溝槽，所述第二溝槽由覆蓋所述光刻膠層以及覆蓋所述第一溝槽的側壁及底部的間隔層形成，通過所述溝槽結構在所述襯底中形成的所述狹縫結構的深寬比介于1：500～500：1。
2.根據權利要求1所述的溝槽結構，其特征在于，所述第二溝槽的寬度小于所述第一溝槽的寬度。
3.根據權利要求1所述的溝槽結構，其特征在于，所述狹縫結構的寬度介于2nm～1000nm。
4.根據權利要求1所述的溝槽結構，其特征在于，所述狹縫結構的深度介于2nm～1000nm。
5.根據權利要求1-4中任意一項所述的溝槽結構，其特征在于，所述狹縫結構還包括在所述襯底上形成的半導體層，所述狹縫結構形成在所述襯底和所述半導體層中。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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