[實用新型]一種背接觸異質結太陽能電池

有效

• 申請號: 201821457785.5
• 申請日: 2018-09-06
• 公開（公告）號: CN208722902U
• 公開（公告）日: 2019-04-09
• 發明（設計）人: 薛俊明;李森;高建軍;王燕增;代杰;張金娟;趙學亮;王珊珊;陳金端
• 申請（專利權）人: 河北漢盛光電科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0747
• 分類號: H01L31/0747;H01L31/0224;H01L31/20
• 代理公司: 石家莊元匯專利代理事務所(特殊普通合伙) 13115
• 代理人: 李彤曉

1.一種背接觸異質結太陽能電池，包括襯底(1)，其特征在于，在襯底(1)的正面依次向上設置有非晶SiO_x層(2)、非晶SiN_x層(3)，在襯底(1)的背面借助絕緣隔離區(10)間隔、交替設置有電子產生及收集區和空穴產生及收集區，所述電子產生及收集區包括在襯底(1)背面依次向外設置的本征氫化非晶硅層I1(4)、n型氫化納米硅層(5)、本征氫化非晶硅層I2(7)、p型氫化納米硅層(8)、ITO層(9)、電子收集電極(11)；所述的空穴產生及收集區包括在襯底(1)背面依次向外設置的本征氫化非晶硅層I2(7)、p型氫化納米硅層(8)、ITO層(9)、空穴收集電極(12)。

2.根據權利要求1所述的一種背接觸異質結太陽能電池，其特征在于，所述襯底(1)為n型單晶硅，厚度100～200μm，電阻率為2Ω﹒cm～13Ω﹒cm，晶向為<100>。

3.根據權利要求1所述的一種背接觸異質結太陽能電池，其特征在于，所述非晶SiO_x層(2)的厚度是3～8nm。

4.根據權利要求1所述的一種背接觸異質結太陽能電池，其特征在于，所述非晶SiN_x層(3)的厚度為70～110nm。

5.根據權利要求1所述的一種背接觸異質結太陽能電池，其特征在于，所述本征氫化非晶硅層I1(4)和本征氫化非晶硅層I2(7)的厚度均為3～8nm。

6.根據權利要求1所述的一種背接觸異質結太陽能電池，其特征在于，所述n型氫化納米硅層(5)的厚度為10～30nm。

7.根據權利要求1所述的一種背接觸異質結太陽能電池，其特征在于，所述p型氫化納米硅層(8)的厚度為10～30nm。

8.根據權利要求1所述的一種背接觸異質結太陽能電池，其特征在于，所述ITO層(9)的厚度為80～150nm，方阻為40Ω/□～100Ω/□。