[實用新型]一種雙trench結構的低殘壓ESD浪涌防護器件有效

申請號：	201821457617.6	申請日：	2018-09-06
公開（公告）號：	CN208835067U	公開（公告）日：	2019-05-07
發明（設計）人：	張猛;梁令榮;黃俊	申請（專利權）人：	伯恩半導體（深圳）有限公司
主分類號：	H01L29/06	分類號：	H01L29/06
代理公司：	暫無信息	代理人：	暫無信息
地址：	518000 廣東***	國省代碼：	廣東;44
權利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：
搜索關鍵詞：	本實用新型防護器件互連殘壓填充多路保護器件電容依次設置由內向外包結構低電容電連接多晶深槽泄放隔離
鉆瓜網技術展會專利詞庫專利權人專利榜在售專利公布日期熱門專利

【權利要求書】：

1.一種雙trench結構的低殘壓ESD浪涌防護器件，其特征在于：包括P+sub區域，P+sub區域上由內向外依次設置有P+擴區區域、N+擴區區域、N-Epi區域、P+環區域、trench1區域和trench2區域；其中trench1區域采用SiO₂填充作隔離使用，trench2區域采用多晶填充作電連接使用。

2.根據權利要求1所述的一種雙trench結構的低殘壓ESD浪涌防護器件，其特征在于：所述trench 2區域內填充高濃度的多晶，連接P+sub區域和N+擴區區域，淀積金屬層Al形成金屬互連，使得多晶與表面P+環區域和N-Epi區域形成互連。

下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。

免登錄下載普通用戶下載升級VIP會員，免費下載

該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于伯恩半導體（深圳）有限公司，未經伯恩半導體（深圳）有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】

本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201821457617.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。