[實(shí)用新型]強(qiáng)抗干擾LDO模塊及抗干擾觸摸檢測(cè)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821456626.3
• 申請(qǐng)日: 2018-09-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN208636738U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-03-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 苗小雨;梁文發(fā)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳市中微半導(dǎo)體有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G05F1/56
• 分類(lèi)號(hào): G05F1/56
• 代理公司: 重慶中之信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 50213
• 代理人: 張景根

1.強(qiáng)抗干擾LDO模塊，其特征在于：包括偏置電路、帶隙基準(zhǔn)電路、負(fù)反饋電路和開(kāi)環(huán)驅(qū)動(dòng)電路，所述負(fù)反饋電路包括運(yùn)算放大器OP2、N型晶體管NM2、取樣電阻R5和R6，所述運(yùn)算放大器OP2的同相輸入端與帶隙基準(zhǔn)電路輸出端連接，所述運(yùn)算放大器OP2的輸出端與所述N型晶體管NM2的柵極連接，所述N型晶體管NM2的源極通過(guò)串聯(lián)的取樣電阻R5和R6接地，所述運(yùn)算放大器OP2的反相輸入端連接到取樣電阻R5和R6之間；所述偏置電路電源端和帶隙基準(zhǔn)電路的電源端分別與外電源VDD連接，所述外電源VDD還分別與所述運(yùn)算放大器OP2的電源端和所述N型晶體管NM2的漏極連接；

所述開(kāi)環(huán)驅(qū)動(dòng)電路包括N型MOS管NM3、電阻R7和R8，所述N型MOS管NM3的漏極連接到外電源VDD，柵極與所述運(yùn)算放大器OP2的輸出端連接，源極通過(guò)電阻R8和R7接地，以所述N型MOS管NM3的源極電壓作為L(zhǎng)DO模塊的輸出。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的強(qiáng)抗干擾LDO模塊，其特征在于：所述運(yùn)算放大器OP2的反相輸入端通過(guò)電容C2接地。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的強(qiáng)抗干擾LDO模塊，其特征在于：還包括模擬濾波電路，所述模擬濾波電路的輸入端與外電源VDD連接，所述模擬濾波電路的輸出端VDD1作為電源分別與所述偏置電路電源端、帶隙基準(zhǔn)電路電源端、運(yùn)算放大器OP2的電源端以及N型晶體管NM2的漏極連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的強(qiáng)抗干擾LDO模塊，其特征在于：所述模擬濾波電路是RC低通濾波器。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的強(qiáng)抗干擾LDO模塊，其特征在于：所述帶隙基準(zhǔn)電路包括運(yùn)算放大器OP1、N型晶體管NM1、PNP型三極管Q1、Q2、電阻R1、R2、R3、R4，所述運(yùn)算放大器OP1的輸出端與所述N型晶體管NM1的柵極連接；所述N型晶體管NM1的源極通過(guò)串聯(lián)的電阻R1、R2、R4連接到三極管Q1的發(fā)射極，所述三極管Q1的基極與集電極連接并接地，所述N型晶體管NM1的源極還通過(guò)串聯(lián)的電阻R1、R3連接到三極管Q2的發(fā)射極，所述三極管Q2的基極與集電極連接并接地；所述運(yùn)算放大器OP1的同相輸入端連接到電阻R3和三極管Q2之間，反相輸入端連接到電阻R2和R4之間；所述運(yùn)算放大器OP1的電源端和所述N型晶體管NM1的漏極連接作為帶隙基準(zhǔn)電路的電源端。

6.抗干擾觸摸檢測(cè)電路，其特征在于：包括觸摸檢測(cè)模塊，所述觸摸檢測(cè)模塊包括觸摸RC振蕩模塊以及權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的強(qiáng)抗干擾LDO模塊，所述LDO模塊的電源端與外電源VDD連接，輸出端與所述觸摸RC振蕩模塊的電源端連接。