[實用新型]一種光刻膠涂布設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821440414.6 | 申請日： | 2018-09-04 |
| 公開（公告）號： | CN208673043U | 公開（公告）日： | 2019-03-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 不公告發(fā)明人 | 申請（專利權(quán)）人： | 長鑫存儲技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/16 | 分類號： | G03F7/16 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 研磨 光刻膠涂布 半導(dǎo)體 邊緣研磨 襯底 邊緣區(qū)域 噴頭模塊 光刻膠 去除 襯底邊緣區(qū)域 本實用新型 產(chǎn)品良率 后續(xù)工藝 產(chǎn)生源 清洗液 研磨槽 有效地 工作臺 噴涂 殘留 | ||
1.一種光刻膠涂布設(shè)備，其特征在于，包括：
工作臺，用于吸附及旋轉(zhuǎn)待研磨半導(dǎo)體襯底，且所述待研磨半導(dǎo)體襯底的邊緣區(qū)域凸出于所述工作臺的邊緣；
邊緣研磨模塊，所述邊緣研磨模塊包括研磨槽，所述研磨槽用以對所述邊緣區(qū)域進行研磨；
噴頭模塊，包括位于所述待研磨半導(dǎo)體襯底下方的第一噴頭組件及位于所述待研磨半導(dǎo)體襯底上方的第二噴頭組件，通過所述第一噴頭組件及第二噴頭組件用以向所述待研磨半導(dǎo)體襯底噴涂清洗液。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠涂布設(shè)備，其特征在于：所述邊緣研磨模塊包括旋轉(zhuǎn)邊緣研磨模塊及固定邊緣研磨模塊中的一種或組合。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光刻膠涂布設(shè)備，其特征在于：當所述邊緣研磨模塊采用所述旋轉(zhuǎn)邊緣研磨模塊時，所述研磨槽包括環(huán)形研磨槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光刻膠涂布設(shè)備，其特征在于：當所述邊緣研磨模塊采用所述旋轉(zhuǎn)邊緣研磨模塊時，所述旋轉(zhuǎn)邊緣研磨模塊的旋轉(zhuǎn)方向與所述待研磨半導(dǎo)體襯底的旋轉(zhuǎn)方向包括相反及相同中的一種或組合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠涂布設(shè)備，其特征在于：所述邊緣研磨模塊還包括驅(qū)動件。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠涂布設(shè)備，其特征在于：所述研磨槽的表面包括由平面及曲面所圍成的形貌中的一種或組合。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠涂布設(shè)備，其特征在于：所述研磨槽的表面包括第一研磨側(cè)面、研磨底面及第二研磨側(cè)面，所述第一研磨側(cè)面及第二研磨側(cè)面形成的所述研磨槽的開口的高度大于所述研磨槽的底面的高度。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光刻膠涂布設(shè)備，其特征在于：所述第二研磨側(cè)面與所述第一研磨側(cè)面在水平方向上的投影面積不等。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠涂布設(shè)備，其特征在于：所述研磨槽的截面形貌包括等腰梯形。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠涂布設(shè)備，其特征在于：所述研磨槽具有預(yù)設(shè)深度，且所述預(yù)設(shè)深度的范圍包括0.2mm～10mm。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠涂布設(shè)備，其特征在于：所述研磨槽的開口的高度的范圍包括0.6mm～20mm。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠涂布設(shè)備，其特征在于：所述研磨槽的底面的高度的范圍包括0.3mm～10mm。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠涂布設(shè)備，其特征在于：所述邊緣研磨模塊沿所述研磨槽的對稱軸呈軸對稱，所述邊緣研磨模塊在水平方向上的投影的形貌包括直徑范圍為1mm～30mm的圓形。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠涂布設(shè)備，其特征在于：所述第二噴頭組件位于所述待研磨半導(dǎo)體襯底的上方，噴涂的所述清洗液覆蓋所述待研磨半導(dǎo)體襯底的上表面；所述第一噴頭組件與所述待研磨半導(dǎo)體襯底的背面具有預(yù)設(shè)夾角，噴涂的所述清洗液覆蓋所述邊緣區(qū)域的背面。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠涂布設(shè)備，其特征在于：所述邊緣研磨模塊包括Al2O3邊緣研磨模塊。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠涂布設(shè)備，其特征在于：所述光刻膠涂布設(shè)備還包括背面處理模塊，所述背面處理模塊與所述待研磨半導(dǎo)體襯底的背面在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)相接觸，用于清洗所述待研磨半導(dǎo)體襯底的背面。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的光刻膠涂布設(shè)備，其特征在于：所述背面處理模塊包括移動刮刷及固定刮刷中的一種或組合。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠涂布設(shè)備，其特征在于：所述光刻膠涂布設(shè)備還包括收集槽，所述收集槽用于收集所述清洗液，且所述收集槽的底部包括排液通道。
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