[實用新型]偏振態可調諧的太赫茲波發射器

有效

• 申請號: 201821439779.7
• 申請日: 2018-09-03
• 公開（公告）號: CN209044226U
• 公開（公告）日: 2019-06-28
• 發明（設計）人: 吳曉君;聶天曉;肖猛;孔德胤
• 申請（專利權）人: 北京航空航天大學
• 主分類號: G02F1/09
• 分類號: G02F1/09
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩;吳歡燕

1.一種偏振態可調諧的太赫茲波發射器，其特征在于，包括：鐵磁納米薄膜、第一電磁鐵和第二電磁鐵；

所述第一電磁鐵和所述第二電磁鐵均固定于所述鐵磁納米薄膜所處的平面內，所述第一電磁鐵和所述第二電磁鐵產生的磁場方向相互垂直；所述鐵磁納米薄膜處于所述第一電磁鐵產生的第一磁場內，且處于所述第二電磁鐵產生的第二磁場內；

泵浦激光透過所述鐵磁納米薄膜，產生基于所述第一電磁鐵和所述第二電磁鐵調諧偏振態的太赫茲波。

2.根據權利要求1所述的偏振態可調諧的太赫茲波發射器，其特征在于，還包括：第一電源和第二電源；

所述第一電源與所述第一電磁鐵電連接，所述第二電源與所述第二電磁鐵電連接；

通過控制流過所述第一電磁鐵的第一電流和流過所述第二電磁鐵的第二電流，實現對所述太赫茲波的偏振態的調諧。

3.根據權利要求1所述的偏振態可調諧的太赫茲波發射器，其特征在于，當所述鐵磁納米薄膜的位置處的所述第一磁場與所述第二磁場同時產生時，則所述太赫茲波的偏振態為線偏振態。

4.根據權利要求1所述的偏振態可調諧的太赫茲波發射器，其特征在于，當所述鐵磁納米薄膜的位置處的所述第一磁場的產生時刻與所述第二磁場的產生時刻之間存在第一預設時間間隔且所述第一磁場的磁場強度與所述第二磁場的磁場強度相等時，則所述太赫茲波的偏振態為圓偏振態。

5.根據權利要求4所述的偏振態可調諧的太赫茲波發射器，其特征在于，所述第一預設時間間隔具體為：使所述第一磁場內產生的太赫茲波電場分量與所述第二磁場內產生的太赫茲波電場分量之間產生90度的相位延遲的時間間隔。

6.根據權利要求4所述的偏振態可調諧的太赫茲波發射器，其特征在于，當所述鐵磁納米薄膜的位置處的所述第一磁場的產生時刻與所述第二磁場的產生時刻之間存在第二預設時間間隔時，則所述太赫茲波的偏振態為橢圓偏振態；

其中，所述第二預設時間間隔具體為：使所述第一磁場內產生的太赫茲波電場分量與所述第二磁場內產生的太赫茲波電場分量之間產生不等于90度的相位延遲的時間間隔。

7.根據權利要求1-6中任一項所述的偏振態可調諧的太赫茲波發射器，其特征在于，還包括：圓環形樣品臺；

所述鐵磁納米薄膜固定在所述圓環形樣品臺的內圓上，所述第一電磁鐵和所述第二電磁鐵均設置于所述圓環形樣品臺的圓環形臺面上的預設位置上。

8.根據權利要求7所述的偏振態可調諧的太赫茲波發射器，其特征在于，所述第一電磁鐵和所述第二電磁鐵均通過固體熱熔膠固定在所述圓環形臺面上的預設位置上。

9.根據權利要求1-6中任一項所述的偏振態可調諧的太赫茲波發射器，其特征在于，所述鐵磁納米薄膜具體包括：金屬層和鐵磁層；

所述金屬層設置在所述鐵磁層上方、所述鐵磁層下方或者所述鐵磁層的上方和下方。

10.根據權利要求1-6中任一項所述的偏振態可調諧的太赫茲波發射器，其特征在于，所述泵浦激光由飛秒激光器產生；

所述飛秒激光器具體為飛秒激光振蕩器、飛秒激光放大器或者光纖飛秒激光器；所述飛秒激光器輸出的泵浦激光的脈沖寬度小于1ps。