[實用新型]金屬互連結構有效
| 申請號: | 201821434280.7 | 申請日: | 2018-09-03 |
| 公開(公告)號: | CN208655633U | 公開(公告)日: | 2019-03-26 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/538 | 分類號: | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金屬擴散阻擋層 金屬互連結構 界面金屬 活化能 本實用新型 籽晶層 制備 穿過 金屬 擴散 緩解 | ||
1.一種金屬互連結構,其特征在于,包括:
襯底,所述襯底包括一層間介質層,所述層間介質層中形成有至少一個互連溝槽;
籽晶層,覆蓋所述互連溝槽的底壁和側壁;以及,
金屬擴散阻擋層,形成在籽晶層和所述層間介質層之間,并且所述金屬擴散阻擋層的材質包括第一金屬,所述籽晶層的材質包括第二金屬。
2.如權利要求1所述金屬互連結構,其特征在于,所述層間介質層的材質包括氧化硅。
3.如權利要求2所述金屬互連結構,其特征在于,所述金屬擴散阻擋層的材質還包括由所述第一金屬與所述層間介質層的所述氧化硅反應生成的硅金屬氧化物。
4.如權利要求1所述金屬互連結構,其特征在于,還包括:
金屬互連層,形成在所述籽晶層上并填充所述互連溝槽。
5.如權利要求4所述的金屬互連結構,其特征在于,所述金屬互連層的材質包括所述第二金屬,以及所述金屬互連層和所述籽晶層中的所述第二金屬包括銅。
6.如權利要求1所述的金屬互連結構,其特征在于,所述第一金屬包括鋁、鍺、鎂、錳和鎳中的一種或多種。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于長鑫存儲技術有限公司,未經長鑫存儲技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201821434280.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:集成電路存儲器
- 下一篇:一種芯片緊密封裝結構





