[實用新型]一種功率器件的終端結構有效
| 申請號： | 201821429899.9 | 申請日： | 2018-08-31 |
| 公開（公告）號： | CN208674111U | 公開（公告）日： | 2019-03-29 |
| 發明（設計）人： | 范捷;萬立宏;王紹榮 | 申請（專利權）人： | 江蘇麗雋功率半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/06 | 分類號： | H01L27/06;H01L29/06;H01L29/40;H01L21/77 |
| 代理公司： | 無錫華源專利商標事務所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 聶啟新 |
| 地址： | 214067 江蘇省無錫市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 淺結 功率器件 終端結構 芯片 環區 電力線 分壓環 半導體技術領域 本實用新型 表面形成 工藝難度 降低器件 耐壓能力 器件性能 同步工藝 芯片表面 場限環 常規的 耗盡區 外延層 最大化 耐壓 源區 主結 分攤 指向 終端 制作 | ||
【權利要求書】：
1.一種功率器件的終端結構，其特征在于，所述終端結構包括：
第一導電類型離子的襯底；
第一導電類型離子的外延層，所述外延層設置在所述襯底上；
第二導電類型離子的環區，所述環區位于所述外延層內；
第二導電類型離子的淺結，所述淺結位于所述外延層內，且所述淺結位于所述環區的右側的表面；
氧化層，所述氧化層位于所述外延層的表面且處于所述環區右側的外部，所述氧化層的左側與所述環區的右側間隔預定距離；
第二導電類型離子的多晶硅場板，所述多晶硅場板呈階梯型，所述多晶硅場板部分覆蓋所述環區注入窗口并且部分覆蓋所述氧化層。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
