[實(shí)用新型]一種新型LED芯片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201821426041.7 | 申請(qǐng)日： | 2018-09-01 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN211719612U | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-10-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 朱俊宜;莊文榮;孫明 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 東莞市中晶半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/24 | 分類號(hào)： | H01L33/24;H01L33/32;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 523500 廣東省東莞市*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 新型 led 芯片 | ||
1.一種新型LED芯片，其特征在于，包括P氮化鎵平臺(tái)、N氮化鎵平臺(tái)、P電極、N電極、及P氮化鎵平臺(tái)與N氮化鎵平臺(tái)之間的有形發(fā)光區(qū)，有形發(fā)光區(qū)的形狀選自：圓臺(tái)形發(fā)光區(qū)、三棱臺(tái)形發(fā)光區(qū)、四棱臺(tái)形發(fā)光區(qū)、六棱臺(tái)形發(fā)光區(qū)中一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型LED芯片，其特征在于，其中所述的發(fā)光區(qū)側(cè)壁為斜形側(cè)壁，發(fā)光區(qū)的上底≤發(fā)光區(qū)的下底。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型LED芯片，其特征在于，所述的LED芯片為有形芯片。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的新型LED芯片，其特征在于，所述的LED芯片為有形芯片，形狀包括：正方形、正六邊形、等邊三角形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的新型LED芯片，其特征在于，其中所述的LED芯片的發(fā)光區(qū)形狀包括：四棱臺(tái)形、六棱臺(tái)形、圓臺(tái)形發(fā)光區(qū)；正六邊形LED芯片的發(fā)光區(qū)形狀為六棱臺(tái)形；等邊三角形LED芯片的發(fā)光區(qū)形狀為三棱臺(tái)形。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型LED芯片，其特征在于，其中所述的LED芯片為垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的新型LED芯片，其特征在于，其中LED芯片的P電極、N電極分別在芯片的上下。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的新型LED芯片，其特征在于，其中LED芯片P氮化鎵平臺(tái)與N氮化鎵平臺(tái)分別為L(zhǎng)ED芯片的上下底。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型LED芯片，其特征在于，所述的LED芯片為正裝芯片，其中P氮化鎵平臺(tái)、N氮化鎵平臺(tái)上的P電極、N電極，N氮化鎵平臺(tái)上的N電極與P氮化鎵平臺(tái)上的P電極的上表面水平的差值為h，h≤0.2μm。
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