[實用新型]一種氮化鎵微波集成電路脈沖調制電路

有效

• 申請號: 201821424527.7
• 申請日: 2018-08-31
• 公開（公告）號: CN208608971U
• 公開（公告）日: 2019-03-15
• 發明（設計）人: 姜世君
• 申請（專利權）人: 成都天箭科技股份有限公司
• 主分類號: H03K5/00
• 分類號: H03K5/00
• 代理公司: 成都弘毅天承知識產權代理有限公司 51230
• 代理人: 馬林中

本實用新型公開了一種氮化鎵微波集成電路脈沖調制電路，涉及脈沖調制電路技術領域，本實用新型包括MOSFET驅動器和與MOSFET連接的調制脈沖，所述MOSFET驅動器為半橋MOSFET驅動器，所述半橋MOSFET驅動器分別連接有MOSFET管A和MOSFET管B，MOSFET管A和MOSFET管B的柵極分別與半橋MOSFET驅動器連接，其中MOSFET管A的漏極連接有電源電壓VDD，源極分別與功率放大模塊和MOSFET管B的漏極連接，MOSFET管B的源極接地，本實用新型能夠確保功率放大模塊的工作狀態的迅速轉換，避免拖尾，提高了發射射頻信號關斷比，提高了功率放大模塊的工作速度，使得功率放大模塊的工作效率得到保障。

技術領域

本實用新型涉及脈沖調制電路技術領域，更具體的是涉及一種氮化鎵微波集成電路脈沖調制電路。

背景技術

目前，雷達系統已廣泛應用在國防和民用產品中，對人們日常生活產生深遠的影響，脈沖功率放大器是雷達系統的關鍵模塊，決定了整個系統的性能，它是指在控制信號的作用下輸出間斷射頻信號的功率放大器，隨著雷達、通信技術的不斷提高，要求固態功放在脈沖工作狀態時，具有高的發射射頻信號的關斷比和功放工作效率。

脈沖功率放大器電路中，脈沖調制器電路的輸入脈沖信號包含高電平和低電平，當脈沖信號為高電平時，脈沖功率放大器處于發射狀態；當脈沖信號為低電平時，脈沖功率放大器處于關閉狀態，將功率放大器簡化成一個場效應管，脈沖調制器的實現方式包括柵極調制和漏極調制。

傳統的漏極調制脈沖功率放大器一般包括脈沖調制器電路和功率放大器電路兩個相對獨立的模塊，脈沖調制電路由單晶體管實現，脈沖信號控制晶體管的導通和關斷，從而控制功率放大器的工作狀態，但由于現有的脈沖調制器電路由單晶體管實現，容易導致發射射頻信號關斷比較小，使得功率放大器電路工作狀態轉換存在延遲，工作速度和工作效率得不到保障。

實用新型內容

本實用新型的目的在于：為了解決現有的脈沖調制器電路由單晶體管實現，容易導致發射射頻信號關斷比較小，使得功率放大器電路工作狀態轉換存在延遲，工作速度和工作效率得不到保障的問題，本實用新型提供一種氮化鎵微波集成電路脈沖調制電路。

本實用新型為了實現上述目的具體采用以下技術方案：

一種氮化鎵微波集成電路脈沖調制電路，包括MOSFET驅動器和與MOSFET連接的調制脈沖，其特征在于：所述MOSFET驅動器為半橋MOSFET驅動器，所述半橋MOSFET驅動器分別連接有MOSFET管A和MOSFET管B，MOSFET管A和MOSFET管B的柵極分別與半橋MOSFET驅動器連接，其中MOSFET管A的漏極連接有電源電壓VDD，源極分別與功率放大模塊和MOSFET管B的漏極連接，MOSFET管B的源極接地。

進一步的，所述半橋MOSFET驅動器的型號為MIC4102YM，半橋MOSFET驅動器的1腳與6腳連接并且連接有+10V電壓，調制脈沖與半橋MOSFET驅動器的5腳連接，半橋MOSFET驅動器的7腳接地；

半橋MOSFET驅動器的3腳與型號為SQ4946AEY的MOSFET管A的柵極連接，并且還連接有電阻R2，電阻R2的另一端與半橋MOSFET驅動器的4腳連接并且還連接有電阻R3，電阻R3的另一端與半橋MOSFET驅動器的8腳連接，半橋MOSFET驅動器的2腳與4腳之間串聯有自舉電容C3，半橋MOSFET驅動器的8腳與型號為Si2392ADS的MOSFET管B的柵極連接，MOSFET管B的漏極與半橋MOSFET驅動器的4腳連接。

進一步的，所述MOSFET管A和MOSFET管B均為N溝道MOSFET管。

進一步的，所述MOSFET管A的漏極連接有儲能電容模塊，所述儲能電容模塊包括一個或多個相互并聯的多層瓷片電容。

本實用新型的工作原理為：