[實用新型]一種增加VDMOS溝道密度的布圖結構有效

申請號：	201821420833.3	申請日：	2018-08-30
公開（公告）號：	CN208570601U	公開（公告）日：	2019-03-01
發明（設計）人：	趙少峰	申請（專利權）人：	趙少峰
主分類號：	H01L27/02	分類號：	H01L27/02;H01L27/088;H01L29/423;H01L29/78
代理公司：	北京慧誠智道知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11539	代理人：	李楠
地址：	214135 江蘇省無錫市新吳區菱***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	溝槽柵元胞接觸孔布圖結構溝道本實用新型平行設置相鄰元胞重復排列重合垂直平行
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【權利要求書】：

1.一種增加VDMOS溝道密度的布圖結構，其特征在于，所述布圖結構包括沿第一方向和第二方向重復排列的多個元胞：

每個元胞包括：第一溝槽柵、第二溝槽柵、第三溝槽柵和接觸孔；其中每個元胞的第二溝槽柵與在第一方向上相鄰一個元胞的第一溝槽柵為相互重合的同一溝槽柵；所述第一溝槽柵與所述第二溝槽柵平行設置，所述第三溝槽柵和接觸孔置于所述第一溝槽柵與所述第二溝槽柵之間；所述第一方向為垂直所述第一溝槽柵與所述第二溝槽柵的方向；所述第二方向為平行所述第一溝槽柵與所述第二溝槽柵的方向；其中，所述接觸孔至所述第一溝槽柵、第二溝槽柵的間距均不小于第一最小間距；所述第三溝槽柵至所述第一溝槽柵、第二溝槽柵的間距均不小于第二最小間距；所述接觸孔至所述元胞內的第三溝槽柵的間距以及距相鄰元胞內的第三溝槽柵的間距均不小于所述第一最小間距。

2.根據權利要求1所述的增加VDMOS溝道密度的布圖結構，其特征在于，所述元胞寬度為單位尺寸a；所述第一溝槽柵和第二溝槽柵的尺寸為1.067a×0.2a；所述第三溝槽柵的尺寸為0.467a×0.467a；所述接觸孔的尺寸為0.2a×0.2a；所述接觸孔到所述第三溝槽柵的距離為0.2a，所述接觸孔到所述第一溝槽柵和第二溝槽柵的距離分別為0.2a，所述第三溝槽柵到所述第一溝槽柵和第二溝槽柵的距離分別為0.067a。

3.根據權利要求2所述的增加VDMOS溝道密度的布圖結構，其特征在于，所述元胞的溝道密度＝(2a+0.467a×4)/(a×1.067a)＝3.625/a。

4.根據權利要求2所述的增加VDMOS溝道密度的布圖結構，其特征在于，a＝1.5um。

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